Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
439 
Ikkinchi elektrod shaffof bo’lishligi talab etilmaydi. Elektr tokini 
otkazuvchaligi mavjud bo’lgani yoki uglerod qatlam xosil qilishning o’zi kifoya. 
Ikki elektrodlar orasini germetik berkitib so’ngra elektrolit joylanadi. Xosil bo’lgan 
fotoelementni o’tkazuvchanligini o’rganish uchun Volt Amper xarakteristikasini 
olinadi va impedans spektroskopiya usulida o’tkazuvchanlikni tekshirish ishlari 
olib borildi. (DSSC) – elementlari asosi xisoblanuvchi (TiO
2
), bo’yoq hamda 
elektrolitlarni o’tkazuvchanligi turlicha bo’lgani uchun ushbu soxada faqat aktiv 
qarshilik mavjud deyish noqulaydir. Shuning uchun ushbu tip fotoelementlarini 
o’rganishda impedans spektroskopiyadan foydalanish maqsad qilib olindi.
Metallarda: 
ρ
(1)
(2) 
Ionlar uchun: 
, (3)
(4) bu 
yerda C zarralar kontsentratsiya
(5) 
bo’ladi.
1 
–
5 ifodalardan kelib chiqib o’tkazuvchanlikni tekshirishda o’zgaruvchan 
tok orqali olinuvchi impedans spektroskopiya metodidan foydalanish 
kerakligi tushuniladi. O’zgaruvchan tokning turlaridan tajriba uchun 
sinusoidal tokdan foydalanamiz. Buning uchun quyidagi sxema asosida 
yig’ilgan o’zgaruvchan tok generatoridan foydalanamiz. 
Natjaviy tok shaklini kuzatish uchun ostsiloskopdan foydalaniladi.
O’zgaruvchan tokda 
bo’ladi.
Agar 
bo’lsa 
Yuqoridagi 
natijaviy ifodani kompleks ko’rinishda o’tkazuvchanlik xolatiga 
keltirish mumkin. 
admittans.
Agar z
kompleks ifoda orqali o’tkazuvchanlikni ifodalasak Eyler 
ifodasi orqali 
bo’ladi. Bunda 
, 
, va impediansni triganometrik ifodasi
z
ko’rinishga keladi. Kompleks tekslikda quyidag
i grafikni 
ko’rishimiz mumkin. 
Agar A vektorni kompleks tekslikda bir necha marta 

---