Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
188 
На рис. 2(а, б, в) представлены спектральные зависимости 
интегрального отражения в ИК области спектра излучения, при различных 
значения Т
пл. 
Рис.2. а) Спектральная зависимость интегрального отражения в ИК области спектра 
излучения, при Т
пл. = 
200 
0
C, ρ=0,38 Ом·см. 
7800.0
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1500
1000
500 350.0
-5.11
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.43
cm-1
%R 
x1e4
Рис. 2. б) Спектральная зависимость интегрального отражения в ИК области спектра 
излучения, при Т
пл. = 
220 
0
C, ρ=0,009 Ом·см. 
933.5
900
850
800
750
700
650
600
550
500
450
400
353.2
-4.25
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.62
cm -1
%R 
x1e4
Рис. 2. в) Спектральная зависимость интегрального отражения в ИК области спектра 
излучения, при Т
пл. = 
220 
0
C, ρ=0,009 Ом·см. 
Коэффициент пропускания пленок толщиной до 3 мкм в видимой 
области составлял до 1-2 %, причем в области 3000-3700 см
-1
наблюдался пик 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
189 
поглощения, который, видимо, связан с дефектом связанным с вакансией 
кислорода.
 
Рис. 3. Типичная спектральная зависимость пропускания ITO пленки толщиной 3 мкм. 
Как уже говорилось выше с ростом проводимости, определяемой 
дефектами структуры, уменьшается прозрачность пленок. Измерения 
оптического поглощения в диапазоне 7800

5000 см
-1
(толщина пленок 1–3 
мкм) показали, что пленки, выращенные при 200 
0
С имели значение 
поглощения менее 7 %, а выращенные при 220 
0
С имели поглощение около 
25 %, хотя электрическая проводимость была одного порядка. 
Заключение 
Таким образом, методом CVD в квазизамкнутом объеме с применением 
отдельного испарителя получены пленки ITO, на стеклянной подложке, с 
высокой проводимостью и прозрачностью толщиной от 1 мкм до 3 мкм.
В данной работе исследована структура, удельное сопротивление, 
оптические свойства и коэффициент отражения в ИК диапазоне ITO пленок, 
выращенных методом CVD в квазизамкнутом объеме.
Показано, что благодаря высокой прозрачности и коэффициенту 
отражения в ИК диапазоне ITO пленки, выращенные методом CVD в 
квазизамкнутом объеме, могут быть использованы в качестве защитных 
покрытий для фацет с лицевым отражающим слоем.
ЛИТЕРАТУРА 
1. R.Chandrasekhar, K.L.Choy. Innovative and cost effective synthesis of indium 
tin oxide films. Thin solid films 398-399(2001) 59-64 
2. Y.Sawada, Ch.Kobayashi, S.Seki, H.Funakubo. Highly conducting ITO 
transparent films fabricated by spray CVD using ethanol solution of indium (III) 
chloride and tin (II) chloride.Thin solid films 409 (2002) 46-50. 
3. Атабаев И.Г., Хажиев М.У., Пак В.А.Выращивание пленок SnO
2
методом 
химической парогазовой эпитаксии. ДАН, № 6, 2012. ст.15-18 
4. ЎзР Патенти