Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
187 
не увеличивается значительно, так как лак имеет невысокую микротвердость 
и процессе эксплуатации трескается.
Известно, что коэффициент отражения пленок в ИК диапазоне, также, 
определяется проводимостью пленок и может быть оценен используя 
соотношение Франка и др.[8,9].
R=(1+2ε
0
c
0
R
0
)
-2 
где c
0
= 1/376, R
0
=Ω
-1
, Ω-удельное сопротивление пленки. 
Известно, что препятствием для достижения высокой концентрации 
дырок при легировании широкозонных полупроводниковых окислов служит 
генерация компенсирующих донорных центров [5,7], которые в IТО связаны 
с вакансиями кислорода. Медленные диффузионные процессы, при 
комнатной температуре, могут сопровождаться снижением концентрации 
дырок и даже сменой типа проводимости (исходная концентрация дырок 
мала). В спектрах поглощения р-типа пленок имеется полоса поглощения 
вблизи 1100 cm
-1
. Это может быть связано с двукратно ионизированным 
состоянием кислородной вакансии (140 мэВ). Энергетические уровни 
вакансий кислорода - 30 и 140 мэВ, соответствует однократному и 
двукратному ионизированным состояниям. 
На рис. 2(а, б, в) и 3 приведены спектры поглощения пленок, снятых на 
ИК Фурьс-спектрометре SPECTRUM ВХ II (Perkin Elmer). Как видно из рис. 
2, спектры поглощения пленок в области колебаний решетки, т.е., фононные 
спектры пленок почти идентичны. Пленки, полученные при различных 
температурах, имеют одинаковую структуру, ближний порядок в решетке не 
меняется. Изменений фазового состава пленок с повышением температуры 
роста не наблюдается. 
Как уже говорилось выше, с ростом проводимости, определяемой 
дефектами структуры, уменьшается прозрачность пленок. Измерения 
оптического поглощения в диапазоне 7800

5000 см
-1
(1÷3 мкм) показали, что 
пленки, выращенные при 240 ºС, имели поглощение менее 5%, а выращенные 
при 260
0
С имели поглощение около 25% , хотя электрическая проводимость 
была одного порядка. 
Для проводящего образца (температура подложки 200 ºС) максимальное 
отражение достигает 30÷45 % в диапазоне 350÷3000 см
-1
. А для образца с 
наивысшей проводимостью (температура роста 220 ºС) коэффициент 
отражения не менее 25 %, а в диапазоне 350÷5000 см
-1
коэффициент 
отражения составляет 40÷75 %. 
В области плазменных колебаний для образца с температурой роста 
Т
=200
о
С наблюдаются слабо выраженные минимумы при 3500 см
-1
и 5000 см
-
1
, при 
Т
=220
о
С минимумы при 5600 см
-1
и 7300 см
-1
. Согласно [7] 
эффективная масса электрона для ITO (0.26–0.45) m
е
.

---