Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
Литература 
[1]
М.К. Бахадирханов, С.Б. Исамов Физические основы формирования 
гетероваризонной структуры на основе кремния. Журнал технической 
физики, 2021, том 91, вып. 11 
[2]
Bakhadyrhanov M.K., Sodikov U.X., Melibayev D., Tuerdi Wumaier, 
Koveshnikov S.V., Khodjanepesov K.A., Jiangxiang Zhan Silicon with Clusters 
of Impurty Atoms as a Novel Material for Optoelectroniks and Photovoltaic 
Energetcs. Journal of Materials Scince and Chemical Engineering, USA DOI: 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
179 
10.4236/msce.2018.64017 
Apr. 
30, 
2018,6, 
180-190. 
(http://www.scirp.org/journal/msce (RG(40) Impact Factor: 0.4). 
[3]
Bakhadyrhanov M.K., Sodikov U.X., Iliev Kh.M., Tachilin S.A., Tuerdi 
Wumaier Perspective Material for Photoenergetics on the Basis of Silicon with 
Binary Elementary Cells. USA. Journal of Materials Physics and Chemstry, 
2018, Volume 1 doi 10.63019/mpc.vli2.493.pp.1-7. (RG(40) Impact Factor: 
1.7). 
 
 
ANIZOTROPIK TB
3
GA
5
O
12
 KRISTALIDA FAZALAR
FARQINING O’ZGARISHI 
 
M.J. Seytova, V.Sh. Yunusova, R.Yu. Rakhimov 
O'zbekiston Milliy universiteti fizika fakulteti, Toshkent 100174, O'zbekiston
e-mail: 
[e-mail] 
Elementlar davriy sistemasidagi nodir yer (NY) elementlarining Terbiy gallat-
granatdagi magnit ikkilanma nur sinishi(INS) sabab bo'lgan 
0

fazali siljishning 
)
/(
2
2
0
0




chastota faktoriga bog'liqligi ko'rsatilgan. Bir tomondan, bu spektral 
bog'liqlik (1) formulaga mos keladigan chiziqli xarakterga ega. 








)
(
)
/
(
2
2
0
0
0




K
cm
rad
(1) 
bu erda T = 90 K va H = 6,5 kOe da 
K
= 0,1256 ga teng. 
Boshqa tomondan, tajriba natijasida topilgan 
K
koeffitsientini nazariy jihatdan 
hisoblangan qiymatlar bilan solishtirishga imkon beradi, bu esa INSni TbGGda 
nazariy ko'rib chiqishni taxminiylik asoslash uchun mezon bo'lib xizmat qiladi. 
Shu bilan birga, terbiy gallat-granatada INS paydo bo'lishidan mas'ul bo'lgan Tb
3+
NY-ionlaridagi 
d
f

elektro dipolyar o'tishlarning 
0

"samarali" chastotasini 
2
/
1

to'lqin 
uzunligi 
teskari 
kvadratning 
)
/
1
(
)
/
1
(
0



funktsional 
bog'liqligidan topish mumkin. 
Shunga o'xshash tarzda topilgan 
K
koeffitsienti va 
0

chastotasi, mos 
ravishda, o'rganilayotgan TbGG namunasining qalinligi uchun 
K
= 46,7 (min) va 
)
330
(
10
*
71
.
5
0
1
15
0
nm
s





ga teng. Boshqa tomondan, (1) formulaga ko'ra, K 
koeffitsienti NY-granat namunasining bir xil qalinligi uchun K = 59,46 (min) ga 
teng, bu esa kattalik tartibida tajriba qiymatiga mos keladi. Shuni ta'kidlash 
kerakki, TbGG da Tb
3+
NY-ionlarida 
d
f

o'tish uchun aniqlangan "samarali" 
0

chastotasi galyum granat terbiyum-ittriyning ingichka plyonkalarida 
)
263
(
10
*
16
.
7
0
1
15
0
nm
s





optik 
yutilishning 
ultrabinafsha 
spektral 

---