Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
166 
и 
n
типа с удельным сопротивлением 10 и 100 Ом·см. Размер образцов 
кремния были V=8x4x1 мм
3
. Для проведения диффузии был выбран 
низкотемпературная технология диффузии [1,2], затем образцы Ge с 
образцами Si в вакуумированной ампуле помещались в диффузионную печь с 
начальной температурой (
T
=300 K), затем печь нагревали до минимальной 
температуры 
T
min
=840 °C со скоростью 5 °C/мин и выдерживали ампулы при 
этой температуре в течении 30 минут. Температура печи поднимались до 
необходимого максимального значения 
T
max
=1200 °C и образцы выдерживали 
при этой же температуре в течении времени t=20 часов. Значения 
T
max
и 
T
min
(максимальное и минимальное), а также время выдержки при заданной 
температуре определялись экспериментально.
На основе выше указанной технологии давления была проведена 
диффузии Ge в Si из газовой фазы в котором значение было равно 
P
=1,1 атм, 
при температуре 
Т
=1100÷1200 °С в течение 
t
=10÷20 часов. 
Рис. 1. Микрофотография образца с торцевой стороны 
 
На рис.1
показана микрофотография этого образца с торцевой стороны. 
Из рисунка четко видна граница между Ge и Si, а также толщина слоя 
легированного Ge. Управляя скоростью нагрева между этапами и выбирая 
параметры этапов в процессе диффузии, удается получить твердый раствор 
Si
1–x
Ge
x
с необходимым толщиной и составом. Таким образом можно 
получить в достаточно тонкой приповерхностной области (до d=5 
мкм)кремния непрерывный твердый раствор Si
1–x
Ge
x
со значением x=0...1. 
На рис.2
представлена
 
топография фронтальной стороны образца, 
полученная сканирующим электронным микроскопом (Mira Tescan 3). 
Определена толщина слоя кремния, обогащённая примесными атомами 
германия, которая составляет около 5÷8 мкм.
Si 
50 mkm 
5÷6 
mkm 

---