Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
367 
Агар йўл фарқи тушаётган тўлқинлар узунлигининг бутун сонларига тенг бўлса, бу нурлар 
бир-бирини кучайтиради; агар йўл фарқи тушаётган ярим тўлқин узунликларининг тоқ сонига 
тенг бўлса, бу нурлар бир-бирини сусайтиради. 
Интерференцияли манзараларнинг ранги пахта толасига боғлиқ. Пахта толасининг 
пишиқлиги толадаги молекулаларнинг жойлашишига боғлиқ. 
Демак, интерференция ранги пахта толасига боғлиқ бўлар экан. Ана шу боғлиқликдан 
фойдаланиб, қутбланган ёруғлик ёрдамида пахта толасининг навини аниқлаш мумкин экан. 
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В ВАРИЗОННОМ ТВЕРДОМ РАСТВОРЕ Si
1-x
 Ge 
x
 (0≤x≤1) 
 
А.С.Саидов*, А.Б.Каршиев*, Ш.Холмуродов**. 
*Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз. 
**Гулистанский государственный университет 
Впервые наблюдался термоэлектрический эффект в варизонном непрерывном твердом 
растворе Si
1-x
Ge
x
(0≤x≤1). Образцы представляли собой гетероструктуры вида nSi-pSi
1-x
Ge
x
 
(0≤x≤1), полученные методом жидкофазной эпитаксии. В диапазоне 40÷250 
0
С при 
однородном нагревании пленок гетероструктуры генерировались напряжение 1,6 mV и ток 16 
nA. 
За последнее десятилетие одним из интереснейших новых эффектов был эффект 
возникновение ЭДС при однородном нагреве материалов на основе моносульфида самария 
SmS [1-3]. В последнее время появилась работа [4], в которой сообщается о наблюдении 
подобного же эффекта возникновения термоЭДС при однородном нагревании оксида цинка 
ZnO, неоднородно легированного примесями с переменной валентностью. Сходные эффекты 
для совершенно других материалов в последние годы наблюдались в ФТИ АН РУз. В работах 
[5-6] сообщалось о возникновении ЭДС и тока при однородном нагреве образцов с простыми 
омическими контактами, изготовленных из поликристаллического кремния, полученного 
многократной переплавкой технического кремния на открытом воздухе в солнечной печи.
Варизонный твердый раствор Si
1-x
Ge
x
(0≤x≤1) выращивался из ограниченного объема 
раствора-расплава Sn-Si-Ge методом жидкофазной эпитаксии на кремниевых подложках n-типа 
проводимости с ориентацией <111> в температурном диапазоне 1000÷750 
0
С. Из полученных 
материалов были изготовлены образцы с размерами: длина – 8mm; ширина – 5 mm. Пленки 
твердого раствора, выращенные на подложках с ориентацией <111>, имели 
монокристаллический характер. Для исследования зависимости термоэлектрического эффекта 
в варизонных твердых растворах Si
1-x
Ge
x
(0≤x≤1) был проведен косой шлиф пленки, что дало 
возможность иметь доступ к материалу с различным содержанием германия (см. рис.1.), для 
чего были сделаны соответствующие омические контакты из серебра. Омичность контактов 
проверялась путем снятия ВАХ. 
Рис.1. Схема исследуемой пленки p-Si
1-x
Ge
x
(0≤x≤1). 1,2,3 – контакты из серебра, 
причем у контакта 1 – в твердом растворе почти 100% Ge, у контакта 2 –55% Ge, а у 
контакта 3 –20% Ge. 
1 
2 
3 
Ag 
p-Si
1-x
Ge
x
 
n-Si 

---