Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
331 
перехода в автоионизационное состояние 


2
7
.
.
10
5
см
с
а




интенсивность излучения третьей 
ступени было примерно в 100 раз ниже интенсивности насыщения. Полная эффективность 
детектированных атомов европия составляла 
4
10
3




. Исследование рибдерговских 
состояний атомов европия проводились по трёхступенчатой схеме. Регистрировано около ~40 
дискретных ридберговских состояний, и исследованы зависимости квантовых дефектов от 
главного квантового числа. Она хорошо совпадает с расчетными данными. 
Литература: 
1. 
Я.Ф.Ельяшевич Спектры редкоземельных атомов и ионов, Атомиздат, 1984 г. 
2. 
В.С.Лехотов Лазерная фотоионизационная спектроскопия, Наука, 1987 г. 
3. 
Н.Б.Эшкобилов Журнал «Прикладная спектроскопия», 2000 г., т.67, с.549 
ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР СОЗДАННЫХ НА 
ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОЧНОЙ СИСТЕМЫ Si/Cu 
З.А.Исаханов, И.О. Косимов, А.Э. Нарбаев, Б.Э. Умирзаков 
Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им.У.А. Арифова, Ташкент, Узбекистан 
E-mail: 
[e-mail] 
В последние время наноразмерные пленки и кластерные фазы созданные на поверхности 
и приповерхностных областях полупроводников и диэлектрических пленок широко 
исследуется. Это главным образом обусловлено перспективностью этих материалов при 
разработке новых приборов микро,-опто- и наноэлетроники [1-3]. Для этих целей в последние 
годы широко используется метод низкоэнергетической ионной имплантации. 
Однако, до сих пор недостаточно хорошо изучены их основные физические свойства. 
Поэтому в представленной работе изучены электронная структура, эмиссионные, 
электрофизические и оптические свойства тонких (d≤30-40 Å) оксидных пленок и силицидов 
металлов, формированных на поверхности свободной пленки Si/Cu при ионной имплантации в 
сочетании с отжигом. 
Исследования проводились с использованием комплекса методов: электронной оже-
спектроскопии (ЭОС), фотоэлектронной спектроскопии (ФЭС) и спектроскопии 
характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ) растровая электронная 
микроскопия (РЭМ), и дифракция быстрых электронов (ДБЭ). В основном были использованы 
пленки Si с толщиной d=400 Å полученные на поверхности свободной пленки Cu(100). 
Аморфные пленки SiO
2
, с d=20-25 Å созданы имплантацией ионов О
2
+
в Si/Cu(100) с энергией 
Е
0
=1 кэВ при дозах от D=5

10
14
см
-2
до D=6

10
16
см
-2
с последующим прогревом при температуре 
Т=700 К.
На рисунке 1(а и б) приведены РЭМ-изображения и ДБЭ картины поверхности Si/Cu(100) 
имплантированных ионами О
2
+
с Е=1 кэВ при дозах D=0 и D=6·10
15 
см
-2
. Видно, что 
поверхность чистого кремния обладает относительно гладким микрорельефом (рис.1,а) и имеет 
структуру близкую к поликристаллической (вставка на рис.1,а). После имплантации ионами 
О
2
+
, с дозой D=6·10
15 
см
-2
на поверхности Si появляются отдельные локальные участки 
(кластеры) с измененной структурой и составом. При этом кластерные фазы занимают одну 
третью часть всей облученной площади. Несмотря на это, на электронограмме полностью 
исчезают кольца, характерные для поликристаллов и появляются новые широкие и размытые 
кольца, характерные для сильно разупорядоченной поверхности (вставка на рис.1, б). По-
видимому, возникновение микронапряжений вблизи локализации кластеров приводит и других 
участков облученной поверхности разупорядочению. 
Начиная с дозы D≈2·10
16 
см
-2
наблюдается перекрывание отдельных участков (кластеров) 
друг с другом. 

---