Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

Результаты экспериментов и их обсуждение. На рис. 1, а и б приведены спектры оже-
электронов никелевого контакта структуры Ni–GaP, полученных в вторым режиме. В спектре 
1, а, полученного без обезгаживание пленок наблюдается интенсивные оже-пики примесных 
атомов C, O, N, а также малоинтенсивные пики – K, Na, Mn, Ar. На оже-спектрах полученных 
во втором режиме содержание примесных атомов резко уменьшается. Результаты 
экспериментов показывают, что поверхность как никелевого контакта, так и полупроводника 
GaP в основном загрязнена атомами C, O и N, концентрация которых в случае предварительно 
обезгаженных пленок значительно меньше. Следовательно интенсивности оже-пиков 
основных элементов а также Ga и P резко возрастают. 
Рис. 1. Энергетические спектры Оже-электронов, эмитированных поверхностью никелевого 
контакта структуры (GaP-Ni) под действием пучка первичных электронов E
0
=3 кэВ, после 
очистки ионным травлением Ar
+
. E
0
=6,7 кэВ. 
Ni 
Cl 
K C Ca 
O 
Mn 
Fe 
Ni 
N 
Rb 
0 
200 
40
0 
60
0 
800 
Е, eV 
dN(E) 
dE 
Ga 
K 
C 
Ca 
N 
O 
Ga 
Na 
Ga 
P 
1000 

---

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
330 
Список литературы 
1. S. Nilavazhagan, S. Muthukumazan, M. Ashokkumar. Journal of Materials Science: Materials 
in Electronics. 2015. Vol.26. pp. 3989-3996 
2. Умирзаков Б.Е., Ниматов С.Ж., Болтаев Х.Х. Поверхность. Рентген., синхротр. и 
нейтрон. исслед. 2014. № 9. С. 87 
3. Абдувайитов А.А., Болтаев Х.Х. // ЖТФ. 2015. Т. 85. Вып. 4 С. 145–147. 
4. Умирзаков 
Б.Е., Нрмуродов М.Т., Ташмухамедова Д.А., Ташатов А.К. 
Наноэритаксиальные плёнки и гетероструктуры на основе Si. Ташкент. MERIYUS, 2012. 184 
c.