Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
337 
Видно, что после ионной имплантации концентрация Ва с поверхности до глубины d = 25 – 30 
Å уменьшалась от 45 – 47 ат.% до 35 ат.%. В интервале d = 30 – 60 Å C
Ba
уменьшается незначительно, 
начиная с d = 60 – 65 Å с ростом d концентрация бария резко уменьшается. При этом приповерхностная 
область Si полностью разупорядочивается. После прогрева при Т = 1100 К формируется 
эпитаксиальная пленка BaSi
2
с толщиной ~ 75 – 80 Å. Между пленкой BaSi
2
и Si образуется переходной 
слой с толщиной 100 – 120 Å. Увеличивая энергию ионов до 8 – 10 кэВ получили пленки с толщиной 
90 – 100 Å. Дальнейшие увеличение Е
0
не приводит к заметному увеличению толщины пленки BaSi
2
.
Для получения нанослоев BaSi
2
в приповерхностной области Si имплантация проводилась с 
энергией Е
0
= 20 – 30 кэВ при D = D
нас.
= 2

10
17
см
-2
. 
Наши исследования показали, что при имплантации ионов Ва
+
в Si с Е
0
= 25 кэВ при D = 2

10
17
см
-2
на глубине 25 нм образуется слой BaSi
2
с толщиной 8 – 10 Å. 
Литература 
1. 
Zhao J., Wang A., Green M.A., Ferraza F. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73(14). P. 1991. 
2. 
Zhao J., Green M.A., Wang A. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92(6). P. 2977. 
3. 
Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. Состав и электронные свойства 
наноразмерных фаз и нанопленок силицидов металлов, созданных методом ионной имплантации в 
сочетании с отжигом //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 
2014. № 4. с. 24 – 29. 
4. 
Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Ruzibaeva M.K., Djurabekova F.G., Danaev S.B. // 
Nuclear Instr. and Methods in Phys. Research Section B: Beam Inerac. With Materials and Atoms; 326. 
02.2014. P. 322–325. 
5. 
Муродкобилов Д.М., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. 2013. №10. С.58.