Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
328 
эффективности в PbTe 
2
> причем при сравнимых Z концентрация электронов в обоих типах 
пленок имеет близкие значения. 
Таблица. Параметры пленок PbTe, сконденсированных на полимиде (Т=300К) 
Состав 
примеси в 
шихте 
N
Sb,
, N
Bi

10
-19
, 
cм
-3
 
n
H

10
-19
, 
cм
-3
 

, 
Oм
-1
см
-1 

10
6
, 
В/К 

2

10
6
, 
Вт/смК
2

10
2
,
Вт/см К 
Z

10
3
, 
K
-1 
Bi 
2.0 
6,0 
7,0 
15 
20 
1,1 
3,8 
4,5 
8,0 
10,0 
650 
1100 
1900 
2500 
3200 
170 
95 
90 
70 
60 
18,9 
10,0 
15,4 
12,3 
11,5 
17 
15 
14 
12 
11 
1,11 
0,71 
1,11 
1,01 
1,01 
BiTe 
1,7 
4,0 
6,0 
8,0 
10,0 
20,0 
1,7 
4,0 
6,0 
8,0 
10,0 
20,0 
1000 
2250 
2900 
3200 
3700 
1900 
160 
100 
80 
70 
60 
40 
25,6 
22,5 
18,6 
16,0 
13,3 
3,0 
18 
17 
16 
15 
14 
15 
1,4 
1,3 
1,2 
1,1 
0,95 
0,1 
SbTe 
2,0 
4,0 
8,0 
40,0 
0,15 
0,4 
1,0 
5,0 
300 
530 
2000 
1500 
270 
240 
150 
100 
21,3 
28,5 
45,0 
15,0 
18 
17 
16 
15 
1,2 
1,7 
2,8 
1,0 
PbI
2
- 
- 
- 
- 
0,7 
0,9 
1,2 
1,3 
250 
580 
1000 
990 
220 
195 
220 
215 
12,0 
22,0 
49,0 
45,6 
19 
19 
19 
19 
0,63 
1,16 
2,55 
2,4 
Литературы 
1. Хейванг В., Биркхольц У., Айнцингер Р., Ханке Л., Кемитер К., Шнеллер А. Аморфные 
и поликристаллические полупроводники. Москва: Мир, 1987 г. с. 57-59. 
2. Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.Н., Коломоец Н.В. Пленочные 
термоэлементы: физика и применение. Москва: Наука, 1985 г. с. 236. 
3. Азимов С.А., Атакулов Ш.Б. Кинетические явления в поликристаллических пленках 
халькогенидов свинца и висмута. Ташкент: Фан, 1985 г. с. 102. 
4. Набиев М.Б., Усманов Я., Онаркулов К.Э., Ахмедов Т.А. Технология получения 
полупроводниковых материалов для фото и термобреобразователей.// Материалы 3-й 
международной научной конференции «Оптические и фотоэлектрические явления в 
полупроводниковых микро- и наноструктурах», Фергана, 2014 г. с.331-332.
5. Голованова Н.С., Зломанов В.П., Тананаева О.Н., Личева Л.Д. Легирование кристаллов 
теллурида свинца висмутом в процессе выращивания //Изв.АН СССР. Неорг.материалы. 1984 
г, Т.20, № 4, с. 574-577. 
ИЗУЧЕНИЕ СОСТАВА И ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ ПО ГЛУБИНЕ 
СИСТЕМЫ Ni–GaP, ПРИМЕНЯЕМЫХ В ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
 
 
А.А. Абдувайитов, Х.Х. Болтаев, Ш. Бахтияров, А. Мавлонов
Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан. 
[e-mail]
 
Известно [1, 2], что для решения ряда технических задач, например в создании устройств 
для корреляционной обработки оптических и электрических сигналов широко используются 
фоторезистивные плёнки из GaP и CdS. На поверхности таких полупроводниковых плёнок 
наносятся контакты в виде полос из благородных металлов (никель, серебро и др). 
Полупроводниковые структуры типа Ni–GaP или Ni–CdS и др. создаются путем 
последовательного вакуумного напыления (осаждения) отдельных компонентов. Качество и 

---