Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

 
𝐹, эВ 
𝒇
𝒅𝟏
 
𝒇
𝒅𝟐
 
𝑵
𝒐,
см
−𝟑
 
1000 
1.73
∙ 10
15
𝐸
𝑐
− 0.835 
0.9997 
0.000176 
2.7
∙ 10
14
1100 
1.78
∙ 10
14
𝐸
𝑐
− 1.135 
0.2235 
0.000055 
1.82
∙ 10
15
1150 
9.6
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.247 
0.9999 
0.000078 
1.9
∙ 10
15
1200 
3.6
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.403 
0.9999 
0.0000024 
1.96
∙ 10
15
1250 
2.68
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.403 
0.9999 
0.0000019 
1.973
∙ 10
15
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намунаси учун электронейтраллик тенгламасини тузамиз. Mn 𝑆𝑖 
тақиқланган зонасида 
𝐸
𝑐
− 0.53 𝑒𝑉 [2] энергетик сатҳ ҳосил қилади. 

---

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
321 
𝑝
𝑜
+ (2 − (𝑓
𝑑1
+ 𝑓
𝑑2
)) ∙ (𝑁
𝑂
− 𝑁
𝑘)
+ (1 − 𝑓
𝑑3
) ∙ (𝑁
𝑀𝑛
− 𝑁
𝑘
)= 𝑁
𝐵
−
+
𝑛
𝑜
Бу тенгламадан фойдаланиб 
𝑁
𝑘
(𝑂 + 𝑀𝑛) концентрациясини ҳисоблаймиз: 
𝑁
𝑘
=
(2−(𝑓
𝑑1
+𝑓
𝑑2
))∙𝑁
𝑜
+(1−𝑓
𝑑3
)∙𝑁
𝑀𝑛
+ 𝑝
𝑜
− 𝑁
𝐵
−
−𝑛
𝑜
3−(𝑓
𝑑1
+𝑓
𝑑2
+𝑓
𝑑3
)
2-жадвал 
𝑻
𝑶
𝑪 
𝒑
𝒐,
𝒏
𝒐
, см
−𝟑
 
𝐹, эВ 
𝒇
𝒅𝟑
 
𝑵
𝑴𝒏,
см
−𝟑
 
𝑵
𝒌,
см
−𝟑
 
1000 
4.17
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.16 
0.99936 
2
∙ 10
15
0.45
∙ 10
14
1100 
0.52
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.47 
0.9999 
1.81
∙ 10
15
4.6
∙ 10
14
1150 
1.04
∙ 10
14
𝐸
𝑐
− 1.24 
0.9980 
3.07
∙ 10
15
1.124
∙ 10
15
1200 
1.04
∙ 10
12
𝐸
𝑐
− 1.77 
0.9999 
2
∙ 10
15
1.06
∙ 10
15
1250 
0.74
∙ 10
12
𝐸
𝑐
− 1.88 
0.9999 
1.99
∙ 10
15
0.158
∙ 10
14
2-жадвалда келтирилган қийматлар ёрдамида 
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намунасидаги 𝑂 + 𝑀𝑛 
комплекслар концентрациясининг температурага боғлиқлик графиги келтирилган (1-расм). 
Расмдан кўриниб турибдики, температуранинг Т=1150
0
С қийматида 
𝑂 + 𝑀𝑛 комплекслар 
максимал қийматга эришар экан.
1-расм.
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намунасидаги 𝑂 + 𝑀𝑛 комплексларининг температурага боғлиқлиги. 
Adabiyotlar 
1. Srajev S.N., Toshboyev T.U., Kamarov M. Kremniyda mis va kislorod kirishmalari o‘rtasidagi 
o‘zaro ta’sirlashuvni o‘rganish. SamDU yosh olimlar konferensiyasi 2014. 
2. Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный 
кремний. Наука, Л. 1972, С. 120.
KOGERENT POTENTSIAL METODI ASOSIDA AMORF Cu
x
Ti
1-x
 QOTISHMALARDA 
XOLL KOEFFITSENTINI HISOBLASH 
 
D.X.Imamnazarov (SamDU).O.I.Boliyev (SamDU 2-kurs magistr) 
Maqsadga yo’naltirilgan yangi materiallarni hosil qilishda ular tarkibiga kiruvchi elementlarning 
elektron strukturasi hamda kinetik hossalarini bilish juda muhim ahamyatga ega. Ayniqsa termo-
E.Yu.K va Xoll koeffitsenti kattaliklari qotishmalarning elektron strukturasiga juda sezgir bo’ladi. Bu 
effektlarni o’rganish qotishmalarning elektron strukturasi haqida zarur ma’lumotlarni beradi. Shuning 
uchun ushbu ishda kogerent potensiallar metodi amorf holatdagi 
𝐶𝑢
𝑥
𝑇𝑖
1−𝑥
qotishmalarning elektron 
strukturasi, solishtirma qarshiligi va Xoll koeffitsentini hisoblash uchun tadbiq qilinadi va tajriba 
natijalari bilan taqqoslanadi. 
Bizga ma’lumki, Bolsmanning kinetik tenglamasiga asoslangan erkin elektronlar modelida Xoll 
koeffisiyenti ishorasi har doim manfiy bo’ladi. Haqiqatdan ham, tajribada bunday holat amorf va 
kristall holatdagi oddiy metal qotishmalarda kuzatiladi, ammo o’tkinchi metallar asosidagi 
0
2E+14
4E+14
6E+14
8E+14
1E+15
1,2E+15
1,4E+15
1000
1050
1100
1150
1200
1250