Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
320 
3. Я.И.Френкель, Т.А.Конторова ЖЭТФ, т.8, с.89 (1938) 
4. Р.Р.Догонадзе, А.М.Кузнецов, Физическая химия, кинетика, Т.2 (итоги науки и техники). 
Москва, 1973, 210с 
5. В.А.Коварский, УФН, Т.169, №8, с.889 (1999). 
КРЕМНИЙДА 
𝑶 + 𝑴𝒏 КОМПЛЕКСЛАРНИНГ ҲОСИЛ БЎЛИШИ
 
Сражев С.Н., Тошбоев Т.У., Неъматов О.С. Самарқанд Давлат университети 
Кремнийда кислород (O) ва мис (Cu) киришмалари ўртасида ўзаро кимёвий боғланган, 
электр жиҳатдан нейтрал комплексларнинг ҳосил бўлиши [1] ишида кўрсатилган. Кремний (Si) 
тақиқланган зонасида O ҳам, Cu ҳам донорли энергетик сатҳ ҳосил қилишига қарамасдан, 
маълум бир термодинамик шароитларда кимёвий боғланган комплексларнинг ҳосил бўлишига 
иштирок этиши ва намуна бошланғич Si параметрларини эгаллаши аниқланган. Si да ҳосил 
бўлувчи бундай комплексларнинг табиатини, структурасини ва ўзаро боғланиш 
механизмларини янада тўлароқ ўрганиш мақсадида электр жиҳатдан ўта фаол бўлган O 
киришмаси билан Mn киришмалари ўртасидаги ўзаро таъсирлашув тадқиқ қилинди. 
Бошланғич материал сифатида Чохрал усули билан ўстирилган КДБ-10 маркали Si 
монокристали танлаб олинди. Si даги O концентрацияси оптик усул билан 
(𝜆 = 9,1𝑚𝑘𝑚, 𝑁
𝑂
2
=
(5 ÷ 7) ∙ 10
−3
) аниқланган. Mn киришмаси Si га вакуум (10
-4
мм.сим.уст) шароитида 1050-
1250
℃ ҳарорат оралиғида 50 ℃ қадам билан диффузия йўли билан легирланди. Ҳосил бўлган 
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намуналари параметрларини солиштириш учун ҳар сафар 𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂 > синов 
намуналари ҳам биргаликда бир хил шароитда қиздирилди. Намуналар параметрлари Холл 
эффекти ёрдамида ўлчанди. 
(
𝑂 + 𝑀𝑛) комплекслар концентрациясини ҳисоблаш учун 𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > системаси учун 
электронейтраллик тенгламаси тузилди. Адабиётлардан маълумки, O 
𝑆𝑖 нинг тақиқланган 
зонасида 
𝐸
𝑑1
= 𝐸
𝐶
− 0,05 ва 𝐸
𝑑2
= 𝐸
𝐶
− 0,15 энергетик сатҳларни ҳосил қилади 
𝑁
𝐵
−
+ 𝑛
0
= 𝑃(𝐸
𝑑1
) + 𝑃(𝐸
𝑑2
) + 𝑃
0
,
бу ерда 
𝑃(𝐸
𝑑1
) =
𝑁
𝑑1
2𝑒
𝐹−𝐸𝑑1
𝑘𝑇
+1
,
𝑃(𝐸
𝑑2
) =
𝑁
𝑑2
2𝑒
𝐹−𝐸𝑑2
𝑘𝑇
+1
𝐸
𝑑1
ва 
𝐸
𝑑2
сатҳлардаги электронлар сони. Ўтказувчанлик зонасидаги электронлар ва 
валент зонасидаги коваклар сонини Холл эффекти ёрдамида олинган натижалардан 
фойдаланиб Ферми сатҳини аниқланди: 
𝑛 -турдаги яримўтказгичлар учун 𝐹 = 𝐸
𝑣
+ 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑁
𝑣
𝑝
, 
𝑝 
–турдаги яримўтказгичлар учун эса F 
= 𝐸
𝐶
− 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑁
𝑐
𝑛
, 
𝑁
𝐶
= 2,8 ∙ 10
19
𝑠𝑚
−3
- ўтказувчанлик 
зонасидаги эффектив ҳолатлар зичлиги; 
𝑁
𝑣
=1,1∙ 10
19
𝑠𝑚
−3
-валент зонасидаги эффектив 
ҳолатлар зичлиги; 
𝑘 −Больцман доимийси. 
Юқорида келтирилган формулалардан фойдаланиб, 
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂 > намуна учун 1- 
жадвалдаги натижаларга эга бўламиз. 
1-жадвал 
𝑻
𝑶
𝑪 
𝒑
𝒐,
𝒏
𝒐
, см
−𝟑