Физика-техника институти, ион-плазма ва лазер технологиялари институти, самарқанд давлат

группы титана на параметры МДП-структур» приведены результаты 
исследования влияния некоторых тугоплавких элементов на параметры
МДП-структур. 
Влияние атомов тугоплавких элементов на параметры МДП-структур 
рассмотрено подробно на примере титана. Приведены результаты измерений 
спектров СС-DLTS и ВФХ в МДП-структурах на подложках из n-Si, 
легированного титаном. Отметим, что каких-либо данных о влиянии на 
параметры МДП - структур атомов Ti, введенных в кремниевую подложку, 
до сих пор нет. Поэтому в данной работе делается попытка восполнить этот 
пробел и детально исследовать свойства кремниевых МДП-структур с 
примесью титана. 
Легирование Si титаном осуществлялось при помощи диффузии при 
температуре 1250 
0
С в течение 10 часов из напыленного на поверхность 
кремния металлического Ti. Далее, как показано выше, изготавливались 
МДП-структуры. Измерения ВФХ МДП-структур на основе Si
показали, что они сдвинуты в сторону отрицательных смещений по 
сравнению с контрольными образцами. Это свидетельствует о том что,
введение Ti в Si приводит к увеличению плотности ПС МДП - структур и 
образованию положительного заряда на границе раздела Si-SiO
2
.
Измерения спектров СС-DLTS в МДП-структурах на основе Si и 
контрольных МДП-структурах (без примеси титана) показали, что на 
спектрах легированных образцов наблюдаются 2 пика с максимумами при 

---

34 
Рис.6. Высокочастотные C-V-характеристики МДП-структур
на основе кремния, легированного титаном (2) и контрольных 
МДП-структур (1) 
температурах Т
мах 
=118 К и Т
мах 
=153 К, а в контрольных образцах такие 
пики не обнаружены (рис.7). Численные расчеты параметров дефектов, 
обусловленных этими пиками, показали, что они не отличаются от 
параметров соответствующих ГУ, наблюдавшихся нами ранее в Si,
легированном титаном. Действительно, пик с максимумом при Т =118 К
соответствует ГУ с энергией ионизации Е
с
- 0.20 эВ, а пик при Т = 153 К -
ГУ Е
с
- 0.27 эВ.
Приведено изменение распределения плотности поверхностных 
состояний N
ss 
по ширине запрещенной зоны Е
g
полупроводника кремниевых