Физика-техника институти, ион-плазма ва лазер технологиялари институти, самарқанд давлат

Рис.5.Спектры DLTS образцов n-Si (1, 1а) и p-Si (2, 2а), 
легированных Zr при 1000
о
С (1,2 ), 1250
о
С (1а, 2а) и контр. n-Si (3) 

---

33 
с фиксированными энергиями ионизации Е
с
-0.22 эВ, Е
с
-0.42 эВ и Е
v
+0.30 эВ, 
доминирующими являются два последних уровня. Обнаружено, что 
эффективность образования глубоких центров, связанных с атомами 
циркония увеличивается с увеличением температуры диффузии Т
диф 
и 
скорости охлаждения после диффузии υ
охл 
: чем больше Т
диф
и υ
охл
, тем 
больше концентрация глубоких уровней циркония. Измерения спектров ФЕ 
показали, что в исследованных образцах наблюдается релаксация емкости в 
области h

~ 0.22, 0.42 и 0.30 эВ.
Это свидетельствует о том, что термическая и оптическая энергии 
ионизации наблюдаемых уровней практически совпадают. 
Параллельные измерения спектров DLTS и ФЕ в контрольных 
термообработанных образцах n-Si показали, что в них наблюдается лишь 
уровень с энергией ионизации Е
с
-0.22 эВ, причем его концентрация на 
порядок выше, чем в образцах, легированных цирконием. Отсюда можно 
сделать вывод, что с атомами циркония в кремнии связаны лишь два 
последних уровня, а именно уровни с энергией ионизации Е
с
-0.42 эВ и 
Е
v
+0.30 эВ, а уровень Е
с
-0.22 эВ является дефектом термообработки. 
Эксперименты с низкотемпературными обработками (НТО) показали, 
что изотермический отжиг в интервале температур 100 – 300 
о
С приводит к 
уменьшению концентрации глубоких уровней Е
с
-0.42 эВ и Е
v 
+0.30 эВ, а 
уровень Е
с
-0.22 эВ стабилен к воздействию НТО.
В третьей главе «Исследование эффектов влияния примесей под-