2. O’rtacha toklar sohasi. Ushbu bo’imda real toklarning qiymati nazariy tok bilan mos keladi. Bu holatda rekombinatsion tok va kanalli tok ma’lum darajada ortadi. Shu vaqtdagi r-p o’tishdagi tokning qiymati quyidagicha aniqlanadi. Lekin bazadagi dirkaning yashash vaqti, VAX tenglamasidan esa to’g’ri kuchlanish bergan holatda quyidagicha aniqlanadi:
I=Is[ exr(U/ m T)-1]
3. Katta toklar sohasi Ushbu holatda real VAX ko’rsatadigan chiziqning qiymati nazariy chiziqning qiymatidan quyi yasaladi. Kuchlanish ma’lum miqdorda kamayadi. Tokning r-p o’tishidagi qiymati quyidagicha bo’ladi:
I=Is[ exr(U/m T)-1] mi > 1 Katta tokning paydo bo’lgan holatidagi r-p o’tishida I=I8 teng bo’lib, kuchlanishning qiymati quyidagiga teng bo’ladi:
Un=U-Uob Un -o’tishdagi kuchlanish.
Real o’tishda teskari tokning qiymati quyidagi tashkil etuvchilardan iborat bo’ladi:
Iobr=Io +Ig+Ic +Iut Ig -generatsiya toki.
Ic -kanaldagi tok.
Iut -tok utechka.
Diffuzion sig’im Agar electron-dirkali o’tushdagi to’g’ri kuchlanishni kamaytirib borsak, Upr o’tishning g-sohasida zaryadning o’zgarishi kuzatiladi. Quyidagi rasmda dirkaning bazadagi zaryadining o’zgarishi ko’rsatilgan.
РР>ПП П
Р
Q
QP Qрком П
П
+
Agar o’tishdagi kuchlanishni ko’paytirsak, u holda Up asosiy zaryad tashuvchilarning o’zaro diffuziyasi ortadi va o’tishdagi Ip tok bazadagi zaryad Qrkondan Qrnach gacha ortadi.
Qr = Qrkon - Qrnach =SD Up SD -diffuzion sig’im koeffitsienti.
Diffuziya koeffitsienti r-p o’tishdagi kuchlanishning o’zgarishini ko’rsatadi. Emitterda ham bu jarayon bo’lib o’tadi. Shundan SD = SD r + SDp Diffuzion sig’im SD r = dQp /dUn = (dQp / dIp) ( dIp/ DUn)
Biroq dQp / dIp = dirkaning yashash vaqti, VAX tenglamasidan to’g’ri kuchlanish bergan holatda esa quyidagicha aniqlanadi.
dIp/ DUn = Ip / T .
U holda SD r = Ip r / T teng bo’ladi.
Shunga asoslanib bazaning qalinligi W qancha L differnsial uzunlikdan katta bo’lsa, W>>L u holda differensial sig’im quyidagicha aniqlanadi
CD =----- (p Ip +n In )
Agar n = p teng bo’lib, W<2 / 2Dp. .
Zaryad tashuvchilarning yashash vaqti =Lg’/D va ushib o’tish vaqti
tn= W2 / D yoki tn= W2 / L2 = W2/ Dp U holda tranzistordagi diffusion sig’imning formulasi quyidagicha bo’ladi:
q W2 CD = In ----- --------
kT 2Dp r-p o’tishda diffusion zaryad tashuvchilar orasida potensiallar ayirmasi paydo bo’ladi.
O’tish chegarasiga yaqin joyda donor va akseptor ionlar paydo bo’lib, u panjara bilan zich bog’langan bo’ladi.
Cb= 0 S/Xn ( a’)
Barer sig’im tashqi qo’yilgan kuchlanishga bog’liq bo’ladi.
Cb0-muvozanat holatdagi barer sig’im,