Fizika fakulteti fizika kafedrasi

2. O’rtacha toklar sohasi.
Ushbu bo’imda real toklarning qiymati nazariy tok bilan mos keladi. Bu holatda rekombinatsion tok va kanalli tok ma’lum darajada ortadi. Shu vaqtdagi r-p o’tishdagi tokning qiymati quyidagicha aniqlanadi. Lekin bazadagi dirkaning yashash vaqti, VAX tenglamasidan esa to’g’ri kuchlanish bergan holatda quyidagicha aniqlanadi:
I=I_s[ exr(U/ m _T)-1]
3. Katta toklar sohasi
Ushbu holatda real VAX ko’rsatadigan chiziqning qiymati nazariy chiziqning qiymatidan quyi yasaladi. Kuchlanish ma’lum miqdorda kamayadi. Tokning r-p o’tishidagi qiymati quyidagicha bo’ladi:
I=I_s[ exr(U/m _T)-1] m_i > 1
Katta tokning paydo bo’lgan holatidagi r-p o’tishida I=I₈ teng bo’lib, kuchlanishning qiymati quyidagiga teng bo’ladi:
U_n=U-U_ob
U_n -o’tishdagi kuchlanish.
Real o’tishda teskari tokning qiymati quyidagi tashkil etuvchilardan iborat bo’ladi:
I_obr=I_o +Ig+I_c +I_ut
Ig -generatsiya toki.
I_c -kanaldagi tok.
I_ut -tok utechka.
Diffuzion sig’im
Agar electron-dirkali o’tushdagi to’g’ri kuchlanishni kamaytirib borsak, U_pr o’tishning g-sohasida zaryadning o’zgarishi kuzatiladi. Quyidagi rasmda dirkaning bazadagi zaryadining o’zgarishi ko’rsatilgan.

РР>ПП П Р Q QP Qрком П П +

Agar o’tishdagi kuchlanishni ko’paytirsak, u holda U_p asosiy zaryad tashuvchilarning o’zaro diffuziyasi ortadi va o’tishdagi I_p tok bazadagi zaryad Q_rkon dan Q_rnach gacha ortadi.
Q_r = Q_rkon - Q_rnach =S_D U_p
S_D -diffuzion sig’im koeffitsienti.
Diffuziya koeffitsienti r-p o’tishdagi kuchlanishning o’zgarishini ko’rsatadi. Emitterda ham bu jarayon bo’lib o’tadi. Shundan S_D = S_{D r} + S_Dp
Diffuzion sig’im S_{D r} = dQ_p /dU_n = (dQ_p / dI_p) ( dI_p/ DU_n)
Biroq dQ_p / dI_p = dirkaning yashash vaqti, VAX tenglamasidan to’g’ri kuchlanish bergan holatda esa quyidagicha aniqlanadi.
dI_p/ DU_n = I_p / _T .
U holda S_{D r} = I_p _r / _T teng bo’ladi.
Shunga asoslanib bazaning qalinligi W qancha L differnsial uzunlikdan katta bo’lsa, W>>L u holda differensial sig’im quyidagicha aniqlanadi
C_D =----- (_p I_p +_n I_n )
Agar _n = _p teng bo’lib, W<2 / 2D_p. .
Zaryad tashuvchilarning yashash vaqti =L^g’/D va ushib o’tish vaqti
t_n= W² / D yoki t_n= W² / L² = W²/ D_p
U holda tranzistordagi diffusion sig’imning formulasi quyidagicha bo’ladi:
q W²
C_D = I_n ----- --------
kT 2D_p
r-p o’tishda diffusion zaryad tashuvchilar orasida potensiallar ayirmasi paydo bo’ladi.
O’tish chegarasiga yaqin joyda donor va akseptor ionlar paydo bo’lib, u panjara bilan zich bog’langan bo’ladi.
C_b= ₀ S/X_n ( a’)
Barer sig’im tashqi qo’yilgan kuchlanishga bog’liq bo’ladi.
C_b0-muvozanat holatdagi barer sig’im,