Fertigung und Erprobung eines Mikro-Wirbelstromsensors zur Abstandsmessung

Ätzanlage

Für das Ätzen von Startschichten wird bei der Herstellung des Wirbelstromsensors die Ionstrahlanlage der ehem. Firma Commonwealth Scientific Corp. (Alexandria, USA) eingesetzt (Bild 5.11). Ein solcher Ätzprozess beruht auf der Wechselwirkung von beschleunigten Gasionen mit Festkörperoberflächen. Die Vorteile dieses Verfahrens bestehen in der guten Steuerbarkeit und der hohen Präzision, die im Bereich von Nanometern liegen kann.

Das Prinzip des Ionenstrahlätzens bzw. der Ionenstrahlbeschichtung basiert auf dem Beschuss eines Substrates mit energiereichen Ionen oder Neutralteilchen, die aus einer separaten Ionenquelle extrahiert werden. Die eingesetzte Anlage besitzt eine Breitstrahlionenquelle vom Kaufmann-Typ. Die 12 cm-Quelle wird beim Ätzprozess eingesetzt und befindet sich auf der Höhe des Substrathalters. Der Prozess findet im Vakuum statt, zu dessen Erzeugung die Anlage mit zwei Pumpen ausgerüstet ist.

Drehbare Waferhalterung (mit Wafer)

Drehmotor für Waferhalterung

Blende für Wafer

Targethalter für 4 Targets

2005 imt 5017-038
Rezipienttür

Bild 5.11: Ätzanlage