Elektroradio ashyolar va tibbiyot texnikasini

Rezistorlarning  chastota  xossalari.  Rezistorlar  chastotalar
diapazonida ishlaganida ularning qarshiligi o‘zgarmas tok holidagi
nominalga nisbatan o‘zgarishi mumkin. Bu o‘zgarishlar, ayniqsa,
megagers chastotalar diapazoni uchun detsibellarni tashkil etishi
mumkin.
Umumiy holda rezistorning yuqori chastotalar uchun sodda-
lashtirilgan  ekvivalent  sxemasi  o‘zining  R  aktiv  qarshiligidan
tashqari  reaktiv  tashkil  etuvchilar  —

PAR
L
, 

PAR
L
  induktivliklar
va C
PAR
 sig‘imni o‘z ichiga oladi (6.6-rasm). Rezistorning chastota
xossalarini  yomonlashtirgani  sababli 

PAR
L
, 

PAR
L
  va  C
PAR
  larni
6.6-rasm. Yuqori chastotalarga mo‘ljallangan rezistorlarning
ekvivalent sxemasi.
L
par
R
C
par
L
par

---

118
parazit kattaliklar deyiladi. Turli rezistorlarda parazit induktivlik va
sig‘im turlicha yuzaga keladi, shuning uchun ularni kamaytirish
choralari  ham  turlicha  bo‘ladi.  Bular  haqida  rezistor  turlarini
bayon etayotganda to‘xtalib o‘tamiz.
Sim rezistorlarda parazit induktivlik o‘tkazgich chulg‘amida
o‘ramlar  orasida  paydo  bo‘ladi.  Simli  rezistorlarning  yuqori
chastotaviylik xususiyati simsiz rezistorlarnikiga nisbatan yomon
bo‘lganligidan maxsus choralar ko‘rmasdan ulardan foydalanish
o‘zgarmas  tok  sohasi  va  tovush  chastotalari  diapazoniga  qarab
chegaralangan bo‘ladi.
Ma’lumki, chastota ortishi bilan umumiy qarshilikning induk-
tiv tashkil etuvchisi ortadi, sig‘im tashkil etuvchisi esa kamayadi.
Shuning  uchun  sim  rezistor  qarshiligi,  umuman  olganda,
induktivlik u yoki bu tarafga o‘zgarishi mumkin. Biroq chastota
ortishi  bilan  sim  rezistor  qarshiligi  ham  doim  ortadi.  Bu  holat
sirtqi effekt asosida tushuntiriladi.
O‘zgaruvchan  maydon  chastotasining  ortishi  bilan  o‘tkaz-
gich  ichida  tok  (Fuko  toklari)  induksiyalanadi.  U  o‘tayotgan
o‘zgaruvchan  tokni  o‘tkazuvchining  amaldagi  kesimi  uning
o‘zgarmas tok uchun kesimi (to‘la kesim)ga nisbatan kamayadi va
doiraviy  kesimli  o‘tkazgichlarda  halqa  shaklini  oladi.  Bu  halqa
simning tashqi diametri d va dx
E
 —  diametr orasidagi farq asosida
hosil bo‘ladi (6.7-rasm).
)
/(
2
1




f
э
  kattalik  yuqori  chastotali  tokning  o‘tkaz-
gichga  kirish  chuqurligi  (mm)  deyiladi  (bu  yerda,    —  solish-
tirma hajmiy qarshilik (Om m/mm
2
); f — o‘zgaruvchan tok chas-
totasi  (MHz);    —  nisbiy  magnit  o‘tkazuvchanlik).  Chastota
qanchalik yuqori bo‘lsa, x
e
 va halqa yuzasi shunchalik kichik, simli
rezistor qarshiligi esa, shunchalik katta bo‘ladi.

---

119
Simsiz rezistorlarda sirtqi effekt ta’sirini e’tiborga olmasa ham
bo‘ladi, chunki ular donador tuzilishga ega va donalar diametri,
odatda,  kirish  chuqurligidan  ancha  kichik  bo‘ladi.  Ular  uchun
qarshilikning  chastotaga  bog‘liqligi,  asosan,  parazit  sig‘im  va
induktivlik bilan belgilanadi. Spiralsimon kesimsiz (kichik Omli)
simsiz  rezistorlarda  qarshilik  chastota  bilan  birga  kattalashadi,
chunki ularning ekvivalent sxemalarida parazit sig‘im yo‘q, para-
zit induktivlik esa bor. Spiralsimon kesimli simsiz rezistorlarda esa,
aksincha, parazit induktivlik ta’sirini e’tiborga olmasa ham bo‘ladi.
Qarshilikning kamayishiga kesim o‘yiqlarida tarqalayotgan sig‘im
ko‘rinishida paydo bo‘luvchi parazit sig‘imning shuntlovchi ta’siri
sabab bo‘ladi (6.8- rasm). Sig‘im tok o‘tkazuvchi qatlam qanchalik
qalin, qatlamning dielektrik o‘tkazuvchanligi qanchalik yuqori va
kesim  o‘ramlarining  soni  qanchalik  ko‘p  bo‘lsa,  parazit  sig‘im
shunchalik  katta  va  rezistorning  chastota  xossalari  shunchalik
yomon bo‘ladi.