Д. В. Харьков графит в науке и ядерной технике г. Новосибирск 013 Монография

Рис. 1.8.
Электронная плотность состояний в «сотах» кристаллографической 
решётки графита. Энергетический спектр представлен в относительных 
единицах, справа с увеличением показаны соприкасающиеся валентная зона и 
зона проводимости вблизи одной из точек Дирака [29]. 

---

21 
Исследования осцилляционных явлений (эффекты де Газа - Ван-
Альфена и Шубникова – де Гааза) позволили уточнить вид поверхности 
Ферми и эффективные массы носителей заряда для монокристалла графита. 
В первом приближении поверхность Ферми имеет форму эллипсоида 
вращения с соотношением осей 12,6:1 для дырок и 11:1 для электронов, 
причём большие оси совпадают с направлением кристаллографической оси 
с
графита. Эффективные массы электронов и дырок соответственно равны 0,06 
m
0
и 0,04 m
0
для движения носителей вдоль слоя и 14 m
0
и 5,7 m
0
для 
движения перпендикулярно слою, поэтому электронные свойства 
монокристалла графита имеют значительную анизотропию [30]. 
Анизотропия графита существенно влияет также на теплопроводность 
графита, где проявляются [31] полупроводниковые свойства графита, 
характеризующиеся соотношением тепла, передаваемого фононами и 
носителями заряда. Графитовые материалы имеют характерную для 
фононной теплопроводности температурную зависимость с максимумом в 
районе комнатных температур или чуть выше.
Согласно [32, стр.167] теплопроводность, связанная только с фононами, 
определяется выражением: 
λ
 
= 1/3 
C
×
υ×Λ 
(1.6), 
где:
С
-
полная теплоёмкость фононного газа; 
υ
 
– средеквадратичная скорость фононного газа; 
Λ – длина свободного пробега фононов. 
Теплоёмкость, связанная с колебаниями решётки (фононы) согласно 
закону Дебая, определяется в виде: 
a
T