Bipolyar va Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar

База занжирида RБ резистор мавжуд бўлганда транзистор база кучланиши

• База занжирида RБ резистор мавжуд бўлганда транзистор база кучланиши
• Юқори температураларда калит IК0 қиймати кескин ортади ва натижада эмиттер ўтишдаги кучланиш ҳам ортади. Шу сабабли беркилиш режимида транзистор нормал ишлаши учун қуйидаги шарт бажарилиши керак
• бу ерда UБЎС – эмиттер ўтишдаги мусбат кучланиш UБЭ бўлиб, ушбу қиймат ортса транзистор берк режимдан актив режимга ўтади, яъни очилади.
• Интеграл технологияда бажарилган кремнийли транзисторлар учун UБЎС=0,50,6 В.
• Агар UКИР=0 бўлса, у ҳолда юқоридаги шарт қуйидагича қайта ёзилади.
• UБЎС=0,6 В ва IК0=1мкА деб фараз қилсак, у ҳолда RБ.max= 0,6 МОм га тенг бўлади.

Киришга UКИР0,7 В (мантиқий бир U1) кучланиш берилса транзистор актив ёки тўйиниш режимида ишлайди (калит уланган).

• Киришга UКИР0,7 В (мантиқий бир U1) кучланиш берилса транзистор актив ёки тўйиниш режимида ишлайди (калит уланган).
• Калит режимда транзисторнинг актив иш режими маъқулланмайди, чунки юкламадаги ток фақат юклама RК ва манба кучланиши ЕМ катталиги билан эмас, балки транзистордаги кучланиш пасайиши UКЭ билан ҳам аниқланади,

яъни транзистор хоссаларига (параметрларнинг ўзгариши ва уларнинг температурага боғлиқлиги) ҳам боғлиқ бўлади. Бундан ташқари, актив режимда транзисторда қўшимча қувват сочилади, схеманинг ФИК камаяди.

• Интеграл технологияда бажарилган кремнийли транзисторлар учун тўйиниш режимида UЧИҚ=UКЭ0,25 В (мантиқий ноль U0). Аналог схемаларда алоҳида калитлар қўлланилади. Рақамли схемаларда эса калитли занжирлар қўлланилади. Бундай занжирларда ҳар бир калитни ўзидан олдинги калит бошқаради ва ўз навбатида бу калитнинг ўзи кейинги калит учун бошқарувчи ҳисобланади. Демак, агар олдинги калитда транзистор тўйиниш режими бўлса, у ҳолда бу калит кейинги калитни қайта улаши мумкин эмас.