Buxoro davlat universiteti fizika kafedrasi 2-bosqich magistranti Jumayev Olamgir Jahongir o’g’lining “Ko’p funksional datchiklarning fiziko-texnologik xususiyatlari” mavzusida 5A140202-“Fizika”yo’nalishi bo’yicha magistr akademik darajasini olish uchun tayyorlangan dissertatsiyasi
ANNOTATSIYASI
1.Bitiruv malakaviy ish mavzusining dolzarbligi:. Termodatchiklarning parametrlarini va ishlash tezligini tadqiq qiluvchi qurilmalarni takomillashtirish Hozirgi kunning eng dolzarb masalalaridan biri hisoblanadi . Chunki haroratni aniqlikda o‘lchash, o‘lchash mobaynida o‘lchash aniqligining yuqoriligi termodatchikning holatiga bogliq.
2.Tadqiqot ob’ekti va predmeti: Ko’p funksional datchiklarning fiziko-texnologik xususiyatlarini o’rganish.
3.Ishning maqsad va vazifalari: Hozirgi kunda mazkur muammoni yangi texnologiyada muvaffaqiyatli hal qilinishi konsentrasiyasi boshqariladigan turli xil tabiatli va turli xil tarkibli nanoo’lchamli strukturalar – nanoklasterlarni shakllantirishga hamda fotonika, spintronika va nanoelektronika sohalari uchun yangi avlod materiallari olinishiga xizmat qiladi.
4.Tadqiqot usuli va uslubiyoti: Ishda namunalarni qalinligi va kirishma atomlarini qayta taqsimlanishi (raspad) bo’yicha harorat gradiyenti shakllanishini imkonini beruvchi dastlabki qurilma tajriba sinovdan o’tkaziladi.
5.Olingan asosiy natijalar: Berilgan parametr bo’yicha harorat gradiyentini boshqarish sistemasini ishlab chiqiladi. Bunday qurilmalarda qayta legirlash usulini ishlab chiqiladi. Qurilmaning texnologik imkoniyatlarini aniqlanadi.
6.Natijalarning ilmiy yangiligi va amaliy ahamiyati: Maydon tranzistorining fotosezgirlik mexanizmi o’rganilgan, unga ko‘ra yoritilganlik intensivligining ortirilishi nurlanish yutilishining chuqurligi ortadi, p-n-o‘tishdagi kontakt potensiallar farqi kichrayib (n-qavatda diffuzion potensial to‘liq joylashgan) n-qavat kanali o‘tkazish qismi qalinligining ortishiga olib kelishi aniqlangan.
7.Tadqiq etish darajasi va iqtisodiy samaradorligi: Maydon tranzistorini diod rejimida yorug’lik ta’siri, tranzistor rejimida yorug’lik ta’sirini olingan natijalar asosida ko’p funksiyali datchik yaratish imkoniga erishiladi.
8.Ishning hajmi va tuzilishi: 71 betda bayon 3 bob, xulosa foydalanilgan adabiyotlar ro’yxatidan iborat.
Диссертация Джумаева Оламгира Джахонгир оглы, магистранта 2 курса физического факультета Бухарского государственного университета, на тему «Физико-технологические особенности многофункциональных датчиков» на степень магистра по специальности 5А140202 – «Физика»
АННОТАЦИЯ
1. Актуальность темы дипломной работы:. Совершенствование приборов, изучающих параметры и рабочие скорости термопар, является одним из наиболее актуальных вопросов на сегодняшний день. Поскольку точность измерения температуры, высокая точность измерения во время измерения зависит от состояния термопары.
2. Объект и предмет исследования: Изучение физико-технологических свойств многофункциональных датчиков.
3. Цели и задачи работы: На сегодняшний день успешным решением этой задачи в новой технологии является формирование нанокластеров разной природы и разного состава, контролируемое концентрацией нанокластеров, и производство материалов нового поколения для фотоники. , спинтроника и наноэлектроника.
4. Метод и методика исследования: В ходе исследования экспериментально испытывается исходное устройство, позволяющее формировать градиент температуры по толщине образцов и перераспределение вводимых атомов (распад).
5. Основные полученные результаты: Разработана система управления градиентом температуры по заданному параметру. В таких устройствах разработан метод повторного сплавления. Определены технологические возможности устройства.
6. Научная новизна и практическая значимость результатов: Изучен фоторезистивный механизм полевого транзистора, согласно которому с увеличением силы света увеличивается глубина поглощения излучения, уменьшается разность контактных потенциалов в p-n переходе (диффузионный потенциал полностью расположен в n-слое) было обнаружено, что n-слой вызывает увеличение толщины проводящей части канала.
7. Уровень проработанности и экономичности: Влияние света на полевой транзистор в диодном режиме, влияние света на транзисторный режим основано на полученных результатах по созданию многофункционального датчика.
8. Объем и структура работы: Описание на стр. 71 состоит из 3-х глав, заключение представляет собой список литературы.
Do'stlaringiz bilan baham: |