Amaliy elektronika asoslari

Elektronikaning oyoqqa turishi va yanada rivojlanishiga radio kashf qilinishi sabab bo‘ldi.

1904 yilda ingliz olimi YA.Fleming tomonidan elektrovakuum elektron lampa–diodni ixtiro qilinishi. 1907 yilda esa Amerika Qushma shtatlarida Li Forest tomonidan uch elektrodli elektron lampa–triodni ixtiro etilishi elektron detektor, kuchaytirgich generatorlarni yasash imkonini yaratdi. Bunday hol radiotexnika olamini keskin rivojlanishga olib keladi.

1920–30 yillarga kelib esa har turli elektrovakuum asboblari yaratilishi radioaloqa, radiolakotsiya, o‘lchash va hisoblash texnikalarining keng qamrovli rivojlanishiga zamin yaratildi.

Elektronikaning rivoji uning murakkabligining oshishi bilan belgilanadi. Hozirgi kunda elektronikaning rivojlanishi shuni ko‘rsatadiki har besh yilda elektron qurilmalarning murakkabligi 10 marta ortmoqda.

1930-40 yillarga kelib elektron qurilmalarda (hisoblash mashinalarida) 1000 tagacha elektron lampalar ishlatilar edi. Bu lampalarning ishlash vaqti 500 soatni tashkil qiladi. SHu sababli bunday elektron qurilmaning ishonchli ishlashi faqatgina 15 minutni tashkil qilib, shu bilan birga ularning hajmi massasi va elektr energiyaning ist’emoli ham juda katta bo‘ladi.

Elektron lampaning yuqorida ko‘rsatilgan kamchiliklari sababli olimlar boshqa tizimda ishlaydigan elektron asbob yaratishga majbur bo‘ldilar va 1948 yilda Amerika qushma shtatlar olimlari D.Bardin, U.Bratteyn, U.SHokllilar germaniy yarim o‘tkazgichi asosida yarim o‘tkazgichli tranzistorni ixtiro qildilar. Bu ixtiro uchun ular Nobel mukofotiga sazavor bo‘ldilar.

YArim o‘tkazgichli qurilmaning ishlash vaqti o‘ta yuqori, ishonchliligi, xajmi va massasi kichikligi bilan elektron lampadan keskin farqlanadi. SHu sababli elektron qurilmalar: hisoblash texnikasida avtomatikada energitikada, radioaloqada keskin o‘z urnini egalladi.

Ilmiy–texnika rivojlanishining, ko‘rsatkichi yuqorida aytganimizdek, elektron qurilmaning yanada murakkablashuviga olib keldi. SHu sababli diskret elementlardan murakkab sxemalar yig‘ilishiga hajmining, massasining kattalashishi, ishonchliligi va tejamkorligining kichikligi yo‘l qo‘ymadi.

Bo‘nday muommoni xal qilish jarayonida integral mikroelektronika yo‘nalishi shakllandi. Mikroelektronika yo‘nalishining to‘g‘ilishi 1940 yilda Angliyada yupqa plenkali radioelementlar yaratilishi sabab bo‘ldi.

Birinchi integral sxema 1958 yil AQSH da bir vaqtda alohida D.Kilbi va R.Noysonlar tomonidan kashf etildi va 1962 yilda esa sanoat ko‘rinishida ishlab chiqildi. Bu esa yarim o‘tkazgichli integral mikrosxemaning rivojiga poydevor bo‘ldi.

Mikroelektronikaning asosiy vazifalaridan biri radioelementlarning (rezistor, diod, tranzistorlar) hajmini œlchamini ixchamlashtirish va ularni bitta asosga joylashtirish yo‘llarini, usullarini ishlab chiqishdan iborat. Bunday tizim mikrosxemaning funksional imkoniyatlarini, ishonchliligini, tezkorligini oshiradi, hajmini, massasini energiya iste’molini va tannarxini kichraytiradi.