Академия наук республики узбекистан

n
–
легирловчи
қўшимчаларнинг ҳажмий концентрацияси, 
R
– 
ўсиш 
тезлиги, 
F
ion
– 
ион оқими, 
σ
inc
– 
таркиб юзаси Sb, 
n
s 
-
Sb адатомларининг 
зичлиги. 
(2.1
2
)
ифодадан ион оқимларининг концентрациясини аниқланади:
 
ёки 
J
ion
=F
ion
q 
орқали ион токи
зичлигига
 
ўтқазсак:
 

 
 
(2.13) 
бу ерда
 q=1,6
х10
-19
кл 
– 
элементар
заряд,
R=10
-8
c
м
/
сек
 
учун
; 
𝝈𝝈
inc
=0,5
х10
-16
c
м
2 
(600
эВ учун) ва
 
∆
ифода учун
 
(2.1
3
) ёрдамида мос нуқталарда
ион оқими 
зичлигини топилади
.
 
Тегишли нуқталар учун топилган қийматлар ёрдамида
 
таглик
сиртида ион
токи зичлиги
тақсимотини аниқланади.
 
Ион токи зичлигининг подложка сиртида икки ўлчамли тақсимланиши 
2.7- 
расмда келтирилган.
Шундай қилиб, ион токининг таглик
юзаси бўйлаб тақсимланиши 
кўриниши
яратилди. Таъкидлаб ўтилганидек, ион токини зичлигини бевосита 
аниқлаш фақат бир чизиқда олиб борилиб, бу тизим 90
0
→270
0
йўналишга 
тўғри келади. Агар ионли зонд ёрдамида олинган маълумотлар (
2.7- 
расм)
ва 
ион ток зичлигининг
ҳисоблаб топилган қийматлари
билан солиштирилса, 
олинган натижаларнинг 20%
аниқликда бир бирига мос
келиши
аниқланди
.
33 

---

2.3. Ионли стимуллашган усулда Si юзасида Ge
 
нано оролчаларини 
шакллантириш
 
Si
юзасида 
Ge
нано оролчаларини шакллантиришга қизиқиш
квант 
нуқталарнинг ўзига хос физик хусусиятлари,
атомсимон энергетик 
спектрлари ва улар асосида янги авлод оптоэлектрон ускуналарини ясаш 
имконияти билан боғлиқ. Ускунавий жиҳатдан олиб қаралганда,
заряд 
ташувчиларнинг атомсимон энергетик спектрлари,
агар сатҳлар орасидаги 
масофа иссиқлик энергиясидан сезиларли даражада катта бўлса, замонавий
микро
- 
ва оптоэлектрониканинг асосий муаммоси бўлган
энергетик ойнада 
kT
тартибда заряд ташувчиларни “ювилиши”нинг
ва унинг оқибатида 
электрон қурилмалар
ҳароратининг
ошишида ускунанинг
ишчи 
хусусиятларининг пасайишининг олдини олиш мумкин
.
Ўсиш пайтида юзани паст энергияли
ионлар билан нурлантириш 
шакллантирилаётган оролчаларнинг
зичлигини бошқариш ва уларни
ўлчамлари бўйича текис тақсимлаш
учун истиқболли
усулдир. Аммо,
ханузгача ионларни
ўсиш жараёнига таъсир механизми
ноаниқ қолмоқда.
Тезликларнинг кинетик тенгламаларидан фойдаланиш беқарорлик 
ҳолатида нано ўлчамдаги оролчаларнинг пайдо бўлиш ва (субмонослой)
эпитаксиал ўсиш жараёнини
бошланғич босқичидаёқ
тасвирлаб бериш 
имкониятини беради. Ушбу усул, мазкур диссертация тадқиқотлари 
доирасида
сиртда адсорбцияланаётган
атомлар таркибидаги паст энергияли
ионларнинг пайдо бўлаётган оролчалар концентрациясига таъсирини ҳисобга 
олганда ҳолда
қўлланилган.
Ионларнинг юза билан тўқнашуви деффектлар 
– 
юза вакансиялари ва 
жойларда нуклеацияга сабаб бўлувчи
вакансион кластерлар ҳосил бўлишига 
олиб келади деб қабул қилинган. Деффектда нуклеациянинг енгиллатувчи 
иккита механизм
кўриб чиқилди:
а) Нуклеация ионлар уриб чиқарган сирт атомлари эвазига юз 
беришининг эҳтимоллиги 1 га яқин
.
б) Ионлар томонидан уриб чиқариладиган атомлар, оролчалар пайдо 
бўлишида асосий ролни ўйнамайди, аммо
нуклеация
тезлиги
деффектда,
деффектсиз юзага қараганда юқори (кичик ўлчамлар хисобига, ва/ёки критик 
ядронинг
диссоциация
энергиясининг
юқорилиги
хисобига).
Температура