Академия наук республики узбекистан

2.
9-
расм. Ион энергияларининг нанооролчаларнинг чизиқли ўлчами (а) ва 
зичлиги (б)га боғлиқлиги 
2.
8-
расм. Турли хил 
энергияли ионлар билан 
бомбордировка қилинган 
нано оролчаларнинг СТМ 
тасвири (0, 600, 1000, 1500В 
чапдан ўнгда ва юқоридан 
пастга) 
36

---

Элементар заряднинг ўзак ҳосил қилишдаги аҳамияти ўрганилди. 
Элементар ўзакда жойлашган заряднинг ўзак эркин энергиясига хиссаси 
ўрганилди. Германий ионлари билан кремний юзаси бомбардимон 
қилинганда дефект ҳосил бўлиши ва нуқтавий дефектларни тақсимоти Монте 
Карло методи билан ўрганилди.
Германий оролчалари массивлари анализ 
қилинганда, қисман ионланган оқимлардан фойдаланиш
оролчаларнинг 
шаклланишига, зичлигига, ўлчамларига ва уларнинг тақсимланишига 
самарали таъсир кўрсатиши кузатилди
. 
Кейинги тажрибалар ионларнинг 
нисбатан паст энергияларида, яъни 100
-
600 эВ оралиғида амалга оширилди. 
Бунда ўта зич оролчалар массиви (5х10
11
см
-2
) ва энг тор тақсимот ионлар 
энергияси 200эВга тенг бўлганда шаклантирилди.
2.4. 
Гетероструктураларда механик зўриқишнинг
 
ионли стимуллашган
 
релаксацияси
 
Ионли стимуллаш усулининг яна бир аҳамиятли томони, унинг ўта 
юпқа қатламларда зўриқишни релакцация қилиш
имконини яратади
. 
Германий ва кремнийнинг
панжаралари параметрларининг 
номутаносиблигинг катталиги (4.12%)
туфайли, кремний тагликларда 
псевдоморф эпитаксиал ўстириш жараёнида олинган германий ва германий
-
кремний қотишмалари қаттиқ зўриқишга эга бўлади ва яна ўстириш давом 
эттирилганда
ёки юқори ҳароратда ишлов берилганда релаксацияга учрайди. 
Маълумки, кремний
-
германий эпитаксиал қатламларда механик
зўриқиш
релаксацияси эпитаксиал қатламнинг критик қалинликлар
ҳолатларида 
фазалараро чегарага номутаносиблик дислокациясини киритиш билан юз
беради. Бу ҳолатда киритилаётган дислокация сигментлари ўстирилаётган 
қатлам орқали ўтади. Қатлам таркибида дислокацияларнинг мавжудлиги 
қатлам сифатини сезиларли ёмонлашишига ва бу структураларни оптик ёки 
электрон қурилмаларда ишлатиш имконияти пасайишига сабаб бўлади. 
Бошқа томондан
гетероструктураларда зўриқиш
эффектлари таъқиқланган 
зоналарни деформацияси ҳисобига электрон қурилмаларнинг ишлаш 
сифатини 
ошириши 
ҳам 
маълум.
Зўриқиш 
эвазига
SiGe
гетероструктураларидаги каналлардан
заряд ташувчиларнинг ўтиши ва 
бошқа муҳим хусусиятларидан фойдаланиб,
юқори самарали майдон 
транзисторларини яратиш мумкин. Кремний таглигида 
SiGe
қатламларига эга
бўлиб, виртуал тагликлар деб номланувчи тагликлар, кристалл 
панжараларнинг бир бирига номутаносиблиги натижасида ҳосил бўладиган 
зўриқиш туфайли юқорида кўрсатилган мақсад учун туғри келмайдиган 
гетераструктураларни мослаш учун ишончли усулни вужудга келтиради
.
Релаксацияни бошқариш йўли билан нисбатан қалин
SiGe
қатламларида 
зўриқишни тўлиқ
ёки белгиланган даражада камайтириш масаласини ҳал 
этиш лозим. Изланишлар доирасида, кремнийда ўсаётган 
SiGe
қатламларини 
ионли бомбордировка қилиш йули билан зўрикишларнинг
релаксациясини 
амалга ошириш имкониятини берувчи усул таклиф этилди.
37 

---