Академия наук республики узбекистан

Рис. 4.5 Cпектральные распределения коэффициента (a)-(d) поглощения и (e)-(h) отражения для (a), (e) , (b), (f) , (c), (g) и (d), (h) . Проведено сравнение теоретических результатов (сплошные кривые) с экспериментальными данными [106] (тире) для (a), (b) и (d), (h) .
Как видно, теоретически найденные зависимости , , и для и согласуются с экспериментальными данными. Положение и число пиков, найденные из эксперимента, воспроизведены в теоретическом расчете. Спектральные зависимости исследуемых параметров содержат в себе все основные особенности полупроводников со структурой цинковой обманки. Видны общеизвестные пики Е_0, Е₁, и Е₂. При этом использована система обозначения пиков, предложенная в [110]. Индексы 0, 1 и 2 означают междузонные переходы в центральной точке зоны Бриллюэна (Е₀), вдоль направлений <1,0,0>, <0,1,0>, <0,0,1> (Е₁) и восьми эквивалентных направлений (1,1,1) (Е₂), соответственно. Получены также более слабые пики _, , связанные с переходами между валентной зоной и более высокими зонами проводимости в центре зоны и вдоль направлений <111>, соответственно [106]. Как известно [106], в Е₂ содержатся вклады переходов, происходящих в широкой области зоны Бриллюэна вблизи границ в направлениях <100> и <110>.
Так как в расчете мы пренебрегли спин-орбитальным взаимодействием, спин-отщепленная часть оптических параметров отсутствует в спектральном распределении. Кроме того, ab-initio пакет, использованный в данной работе, не учитывает Кулоновское взаимодействие электрона с оставшейся дыркой. В результате пики Е₁ оказались более слабыми, а пики Е₂ более сильными, по сравнению со случаем, когда Кулоновское взаимодействие учтено. В Таблице 4.1 приводятся полученные в данной работе с помощью ab initio вычислений энергии основных пиков и экспериментальные значения энергий, соответствующие упомянутым выше основным пикам.