Академия наук республики узбекистан

ЛИТЕРАТУРА

1. 
   Андреев В.И., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А. и др.// Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка ФТП. 2004. т. 38. В. 3. стр. 369-371.
   
2. 
   Б.Н.Заверюхин, Б.Сапаев, А.С.Саидов // Получение эпитаксиальных слоев твердых растворов (Si₂)_1-x(GaAs)_x на Si-подложках их электрических и фотоэлектрических характеристик. ПЖТФ, 2004, том 30, вып. 2
   
3. 
   Б. Сапаев // Исследование роста и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных гетероструктур Ge-(Ge₂)_1-x(GaAs)_x(0=жидкостной эпитаксии Письма в ЖТФ. 2004.том 30. вып. 15. стр. 84-90.
   
4. 
   Duwez P. Wllens R.N. Kliment W. Ir.// Metastable Solid Solutions in the Gallium Antimonide-Germanium Pseudobinary System. J.Appl. Phys., 31, 1500(1960).
   
5. 
   В.М. Глазов, С.Н. Чижевская // О термической устойчивости атомонида алюминия и индия расплавленных в германии. ДАН СССР, 1977, т.129, 869 (1959).
   
6. 
   K.E. Newman, J.D. Dow // Zinc-blende—diamond order-disorder transition in metastable crystalline (GaAs)_1-xGe_2x alloys. Phys. Rev., B, 1983, 27, p. 7495.
   
7. 
   В.М. Глазов, А.М. Евдакимов, Л.М. Павлова // О бездиффузной кристаллизации в системах Ge – А³В⁵ . ДАН СССР, 1977, т.232, N 2, стр. 371.
   
8. 
   A.J. Norieka, M.N. Francabe // Preparation of nonequilibrium solid solutions of (GaAs)_1–xSi_x . J. Appl. Phys. 45, 3690 (1974).
   
9. 
   Алферов Ж. И., Жингарев М.З., Конников С.Г., Мокан И.И., Улин В.П., Уманский В.Е., Явич В.С. // Получение и исследование метастабильных твердых растворов в системе . ФТП. 1982. т. 16, №5, с. 831.
   
10. 
    A. Barnett, M.A. Ray, A. Rastras, D. Kramer, J.E. Greene, F.M. Raccah and L.L. Abels.// Elektr. Hett., 1982, 18, p. 891.
    
11. 
    K.G. Ganden, J.L. Zilko, A.H. Eltoukky, J.E. Greene. J. // Vac. Sci. Technol. , 17,441, (1980).
    
12. 
    Алферов Ж. И., Вартанян Р.С., Корольков В.И., Мокан И.И., Улин В.П., Явич В.С., Яковенко А.А. // Электрофизические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов . ФТП. 1982. т. 16, №5, стр. 887-890.
    
13. 
    М.И. Дьяконов, М.Э. Райх. // О фазовом переходе по концентрации в твердых растворах . ФТП. 1986. т. 12, №4, стр. 67- 72
    
14. 
    А.И. Губанов, А.М. Полубатко // Зонная структура твердого раствора . ФТП, 1982, Т. 16, N5, с. 840-843.
    
15. 
    Саидов А.С., Кошчанов Э. А., Сапаев Б., Ковардакова Г.Н. Жидкостная эпитаксия метастабильных твердых растворов . ДАН Уз ССР 1988. №2. стр. 26-27.
    
16. 
    Саидов А.С., Хакимов Н.З., Рысаева В.А. // Варизонные твердые растворы ДАН РУз. 1991. №9. стр. 22.
    
17. 
    Саидов А.С., Сапаров Д.В., Хакимов Н.З., Рысаева В.А. // Некоторые электрические свойства варизонных твердых растворов , выращенных из висмутового расвора-расплава. ДАН РУз. 1996. №1-2. стр. 31-32.
    
18. 
    Саидов А.С.// Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Узб. Физ. Журн. 1993, N 4 с. 48-51.
    
19. 
    Б. Сапаев, М.С.Саидов и др.// Твердые растворы полученные из ограниченного объема оловянного раствора – расплава. ФТП. 2004, Т. 38, вып. 11.
    
20. 
    M.S. Saidov, A.S. Saidov, // LPE Growth of (IV)_1-x(III-V)_x (IV)_1-x(II-VI)_x solid solutions. Proceedings of the 1 st International Conf. on Epitaxial Crystal Growth. Budapest, April 17, 1990.
    
21. 
    Саидов А.С., Сапаров Д.В., Рысаева В.А. // Получение варизонных твердых растворов нового типа . 1- Международная конф. “Новые материалы и приборы”, Ташкент, 1994. стр. 62.
    
22. 
    Саидов А.С., Сапаров Д.В., Рысаева В.А. // Способ получения варизонных твердых растворов . Авт. свид. N 9501085 от 11 декабря 1995 г.
    
23. 
    Саидов А.С., Сапаров Д.В., Рысаева В.А. // Условие синтеза полупроводниковых твердых растворов ДАН РУз. 1996. № 6. стр. 28-30.
    
24. 
    А.Ш. Раззаков // Диссерт. на соиск. уч. ст. канд. физ-мат. наук. Ташкент, ФТИ, 1998.
    
25. 
    Колюжная Г.А. , Третьяков Д.Н. Воршевский А.С. Войполин А.А. // “Исследование по полупроводникам Новые полупроводниковые материалы” Изд – во “Картя молдовенска”, Кишинев, 1964, стр. 123.
    
26. 
    Harsy M., Bertoti I.// Physical stat. Solidi, 1965, V. 11, p. k. 135.
    
27. 
    В.И. Иванов и др.// Получение и свойства гетеропереходов на основе ZnSe, Ge, GaAs, GaP. Изв. Вузов, Физика, 1977, N2, стр. 82-87.
    
28. 
    Mach R. e.a. // Epitaxial growth and the conduction properties of heterojunctions. Phys. St. Sol. (a). 1970, 2, N4, p 701-709.
    
29. 
    Бурдиян И.И. Макейчик А.И.// Ученые записи Тираспольского педагогического института им. Т.Г. Шевченко. Изв-во Мин. Прос. МССР, 1966, вып. 16, стр. 21.
    
30. 
    Войцеховский А.В. Кесаманлы Ф. П. Митюрев В. К. , Рудь Ю. В.// “Украинский физический журнал" , 1965, Т.10, N 12, стр. 1349.
    
31. 
    Войцеховский А.В. // “Получение и комплексное исследование свойств четырех компонентных полупроводниковых сплавов на основе арсенида галлия” Кандидатская дис. ГПИ, Киев, 1965.
    
32. 
    Горюнова Н.А. // Сложные алмазоподобные полупроводники. М: Советское радио, 1968.
    
33. 
    Саидов А.С. // “Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников” Материалы научно-методической конференции,20-21 декабря, Андижан, 2005г. Стр. 181-183.
    
34. 
    Saidov S.A., Dadamukhamedov S. et al. // Liquid- phase epitaxy of structures. 1^th International conference on epitaxial crystal growth. 1-7 April, 1990, Budapest, p. 208-210.
    
35. 
    Саидов А.С. // Жидкофазная эпитаксия твердых растворов . УФЖ, 1993, N 4.
    
36. 
    Бахадырханов М.К., Сирожов С., Арзикулова М.Р., Норкулов Н. // Содиков У.Х. Молекулообразование между примесными атомами (Zn, Cd) с атомами серы в кремнии. Материалы III-Национальной конференции, Ташкент, 22-23 октября, 2002г.
    
37. 
    D.R. Hartree // Proc. Camb. Phil. Soc. 1928, 24, 89-xxx.
    
38. 
    V. Fock, Z. Physik 1930, 61, 126-xxx
    
39. 
    N.W. Ashcroft and N.D. Mermin // Solid State Physics. (Saunders College Printing, USA, 1976).
    
40. 
    L.H. Thomas // Proc .Camb. Phil. Soc. 1927, 23, 542-548.
    
41. 
    E.Fermi, // Rend. Accad. Lincei 1927, 6, 602-607.
    
42. 
    P.A.M. Dirac // Proc. Camb. Phil, Soc.1930, 26, 376-385.
    
43. 
    Rohlfing J.P. and Louis S.G. // Quasiparticle band structure of HgSe. Phys. Rev. B 57, R 9392 (1998).
    
44. 
    Perdew J.P. // Electronic Structured of solids. Academic Verlag, Berlin. 1991.
    
45. 
    Соболев В.В., Немошкаленко В.В. // Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Киев, Наука думка, 1988.
    
46. 
    W.Kohn. // Rev. Mod. Phys., 71:1253, (1998), P. Hohenberg and W. Kohn // Inhomogeneous Electron Gas. Phys. Rev. B, 136, 864, (1964).
    
47. 
    R.O. Jones and O. Gunnarsson // The density functional formalism, its applications and prospectsRev. Mod. Phys., 61:689, (1989).
    
48. 
    D. Mearns. // Inequivalence of the physical and Kohn-Sham Fermi surfaces Phys. Rev. B, 38, 5906, (1988).
    
49. 
    Kittel G. // Introduction of solid state Physics, 7^th edn.- N.Y. Wiley, 1995.
    
50. 
    Chelkowsky J.R. Louis S.G. // Quantum theory of real Materials. Kluwer, 1996.
    
51. 
    Jones H.M. // The theory of Brillouin Zones and electron States in crystals. Amsterdam, North-Holland, 1962.
    
52. 
    Willatsen M., Cardona M. Christmensen N. // Phys. Rev. B, 501, (195).
    
53. 
    Tromp H.T. et al. // CaB₆: A New Semiconducting Material for Spin Electronics. Phys. Rev. Lett. 87, 016401 (2001).
    
54. 
    Slater J.C. // Advances in quantum chemistry, 1 35, (1964).
    
55. 
    Козлов В.А., Козловский В.В. // Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и alpha –частицами. ФТП, 2001, т. 35. вып. 7. стр. 769- 795.
    
56. 
    Мамонтов А.П., Пешев В.В. .// Зависимость степени влияние зарядового состояния дефектов на накопление глубоких центров от энергии атомов отдачи. ФТП. 17, 1771, (1983).
    
57. 
    М.С. Саидов // Кремниевые твердые растворы и их применение для каскадных солнечных элементов. Гелиотехника, N 5-6, 57(1997).
    
58. 
    Уманский Я.С. Финкельштейн Б.Н. и др. // Физическое материаловедение. М. 1955. стр. 122.
    
59. 
    Марина Л.И. Нашельский А.Я. Колесник Л.И. // Полупроводниковые фосфиды A³B⁵ и твердые растворы на их основе. М. Металлургия, 1974, стр. 45.
    
60. 
    Delin A. // First principles calculation of II-IV semiconductors β-HgS: Metall or semiconductor. Phys. Rev. B, Vol. 65, 153205 (2002).
    
61. 
    S. Zh. Karazhanov, L.Lew, Yan Voon // Ab- initio studies of band parameters of II-IV zinc blend semiconductors.// ФТП, 2005, том 39, выл. 2.
    
62. 
    Кузнецов А.Ю., Соболев А.Б. и др.// Расчеты из первых принципов электронных зонных структур и пластических свойств CsCe, CsBr.// ФТТ, 2005, том 47, вып. 11.
    
63. 
    O.K. Anderson // Computational Methods in Band Theory. p. 332
    
64. 
    B. Johansson // Philos. Mag., 30,469, (1974).
    
65. 
    Skriver H.L. // The LMTO method. Springer Verlag, Berlin, 1984.
    
66. 
    Саидов А.С., Сапаров Д.В., Хакимов Н.З., Рысаева В.А. // Некоторые электрические свойства варизонных твердых растворов , выращенных из висмутового расвора-расплава. ДАН РУз. 1996. №1-2. стр. 31-32.
    
67. 
    Саидов А.С., Сапаров Д.В., Хакимов Н.З., Рысаева В.А. // Некоторые электрические свойства варизонных твердых растворов , выращенных из висмутового расвора-расплава. ДАН РУз. 1996. №1-2. стр. 31-32.
    
68. 
    Hall R.N. J.// Elektrochem. Soc. 1963, v. 110, N 5. p. 385-389.
    
69. 
    Rubenstein M.Y. J.// Elektrochem. Soc. 1962, v. 109, p. 65.
    
70. 
    Саидов М.С., Кошчанов Э.А., Дадамухамедов С., Саидов А.С.// Растворимость GaP в жидких оловянных и галлиевых растворителях. Изв. АН УзССР, 1982, 3, стр. 37-40.
    
71. 
    Nelson H. //Epitaxial growth from liquid staqte and its application to the fabrication of tunnel and lasers diodes. RCA, Rev, 1963, v. 24, p. 603.
    
72. 
    Panish M. B., Sumski S. // phase studies and electrical properties of solution growth - doped . J. Appl. Phys., 1970, 41, 7, 3195.
    
73. 
    Panish M. B., Haushi I., Sumski S. // Double – heterostructure injection lasers with room temperature thresh olds as low as 2300 a/sm. Appl. Phys.lett., 1970, 16, 18, 326.
    
74. 
    Rasztoory F. E et al. // Germanium- doped gallium arsenide. J. Appl. Phys., 1970, 41, 264.
    
75. 
    Dohahue J.A., Mindem H. T. // New technique for liquid phase epitaxy. J. Cryst. Growth, 1970,7,8, 821.
    
76. 
    Stone. L. E., Madden K. et al. // The system for growth layers with liquid phases. J. Electronic Mater. 1970, 1, 119.
    
77. 
    Solomon R. // Factor influencingon electrical and physical properties of high quality solution growth ,- Jn: Proc. 2nd. Jnt. Symp. Og Gallium Arsenide, Dallad, 1969, 11 – 17. Galium Arsenide London, 1969.
    
78. 
    Shin K.K. Woodal J.M. e. al. // Efficient green electroluminescence from GaP p-n junction grown by liquid-phase epitaxy. J. Appl. Phys., 1968, 39, 2962.
    
79. 
    Wodall J. M., Rupprecht H., Peuter N // Liquid – phase epitaxial growth of Ga Al As. J. Electrochem. Soc., 1969, V. 116, N6, 899.
    
80. 
    Deilch R.N. // Liquid-phase epitaxy growth of GaAs under transient thermal conduction. J. Crystal Growth, 1968, V. 2, N1, p. 69.
    
81. 
    Tiller W. A. // Theoretical analysis of requements for Crystal Growth, 1968. V.2, N1, p.69.
    
82. 
    Panish M. B., Sumski S.A. // A Capillary liquid film technique for solution epitaxy of III – V compounds. J. Ctyst. Crowth, 1971, 11, 1, 101.
    
83. 
    Alferov Zn.I. Andreev V.B. et. all.// Preparation end investigation of epitaxyal layers of Al Ga As solid solutions and heterojunction in the AlAs-GaAs system. Crystal and Technic, 1975, 110, № 2, 103.
    
84. 
    Алферов Ж. И., Андреев В. М., Гарбузов. Д.З. и др. // Физические процессы в гетеропереходах. Краткое содержание докладов Всесоюзной конференции, Кишинев, 1979, 53.
    
85. 
    Potemski R.M., Wocdall J. M. // A new Technique for terminating liquid phase epitaxyal growth. J. Electrochem. Soc.1972, 119, 277.
    
86. 
    В. И. Андреев, Л. Долчинов, Д. Н.Третьяков // Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. Москва, “Советское радио”, 1975, 53.
    
87. 
    Марончук. И. Е., Песоцкий Г.С., Пухов Ю. Г., Сущко Б. И., Тузовский А. М. // Сборник: Процессы роста и синтез полупроводниковых кристаллов и пленок (часть II), Новосибирск, Наука, 1975,с. 281.
    
88. 
    Марончук И. Е., Песоцкий. Г.С., Пухов. Ю. Г., Скановский. И. И. Авт. свид. № 521680 от 22 марта 1976 г.
    
89. 
    Марончук И. Е., Орел. В.И., Песоцкий. Г.С., Пухов. Ю. Г., Тузовский. А. М. Авт. свид. № 521681 от 22 марта 1976 г.
    
90. 
    Масенко В. Д. // Диссертация. Исследования и разработка промышленной технологии произвотства эпитаксиальных структур для ИК источников излучения. ДСП. Светловодок, 1978.
    
91. 
    Лисовенко В. Д. Масенко. Б. П., Сергиенко А. С., Сумко Б. И. Авт. свид. №95288.
    
92. 
    Otsubo M, Mini H. // Chromium – Doped semi – Insulating Gallium Arsenide Crystals Grown by Liquid Phase Epitaxy, - Japan, J. Appl. Phys., 1974, 13, № 10, P. 1655 – 1656.
    
93. 
    Hasegava H., Kojima K. // Oron – Doped Liquid – Phase Epitaxial layers with negative Resistance Properties, - Japan, J. Appl. Phys., 1977, 16, № 7, P. 1251 – 1252.
    
94. 
    Kajima K. Hasegava H. // Oron-Doped liquid phase epitaxyal GaAs by Iron.Doping. Phys. Stat. Sol. (a) 1980, 62, 2, p. 673-679.
    
95. 
    Александров Л. Н. // Кинетика образования и структуры твердых слоев, Новосибирск, Наука, 1972, стр. 145- 157.
    
96. 
    Ватырев Н.И, Уфимцев В.Б., Чукичев М.В. // Образования промежуточного слоя при эпитаксиальном вырашивании твердых растворов InGaP на подложках GaAs. Кристаллография, 1979, 24, 338-342.
    
97. 
    Astler M.G., Rowland M.C. // Nucleation and growth of AlAs (111) GaP. J. Crystal Growth, 1977, 27, 142-147.
    
98. 
    Doi A. Hirao M. Ho R // Improvement of Crystal Coposition Ga Al As LPE Layers growth under Conduction Constants Cooling Rate. Jap. J. Appl. Phys. 1978, 17, 3, 503-507.
    
99. 
    Мокрицкий В.А. и др. // Влияние пересыщения кристаллизационной среды на структурные совершенство эпитаксиальных слоев. В книге 8 Международная конференция по росту кристаллов. Расширенные тезисы, том 111, М. 1980, 394-395.
    
100. 
     Кошчанов Э.А. Взаимодействие и распределение компонентов при жидкофазной эпитаксии компенсированных однородных слоев Al Ga As (0
101. 
     Пека Г.П. Коваленко В.Ф. Куценко В.И. “Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов”. Киев, “Техника” 1986.
     
102. 
     M. Methfessel, M. Scheffler. Physica B,