A Si: h asosli quyosh elementi ichidagi faol sohaning modeli. NamDu 1- bosqich magistranti: B. F. Ergashev Keywords

a Si:H ASOSLI QUYOSH ELEMENTI ICHIDAGI FAOL SOHANING MODELI.

NamDU 1- bosqich magistranti: B.F.Ergashev

Keywords: Hydrogenated Amorphous Silicon,Target of Vidicon device, hole currency,the inertia of photocurrent,the energetic position of carriers, mobility strip, mobility groove, the centre of handholds,the characteristic of Lux – Amper.

Annotatsiya: Yupqa qatlamli Gidrogen Amorf - Kremniy (a-Si:H) quyosh elementlarining amaliy tatbiqida keng foydalaniladi.Quyosh elementlarining asosi bo’lmish Amorf – Kremniy (Si:H) juda istiqbolli hisoblanadi.Chunki, ishlab chiqarishning arzonligi, keng notekis va qarovsiz hududlarni qoplay olish, ya’ni pana qilish mumkinligi va yetarli daajada yuqori effektivlikka ega ekanligidir.O’z navbatida eng zo’r sifatli, muvofiq xarakteristikali a-Si:H asosli quyosh elementi tayyorlashda p-i-n qatlam va quyosh elementi yupqa qatlamining effektivligini yaxshilash ya’ni uning parametrlari misol uchun p-i-n qatlam qalinliklari, ularning kirituvchanlik (doping) darajasi, elektron va kovak harakatchanliklari μ_n va μ_p va ularning yashash vaqtlari, p, i , n- qatlam qarshiliklari, shaffof o’tkazuvchanlik va qaytarish (aks ettirish),qatlamlarning geometrik yacheyka va xossalarining aloqasiga e’tibor berish zarur. Ushbu ishda biz a Si:H asosli quyosh elementi ichidagi faol sohaning modelini ko’rib chiqamiz.