![Способы анализа руды на оксид кремния](/i/docx32.png) | Способы анализа руды на оксид кремния 27,05 Kb. 1 | o'qib |
![Microsoft Word Макет №19(7) вычит](/i/pdf32.png) | Microsoft Word Макет №19(7) вычит La, Eu, Sm, Dy, Gd (лантаноиды), на наноструктурированных пленках кремния. Установлены 0,75 Mb. 7 | o'qib |
![Разработка нового метода получения кремния для нужд солнечной энергетики](/i/docx32.png) | Разработка нового метода получения кремния для нужд солнечной энергетики 33,91 Kb. 1 | o'qib |
![Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния](/i/pdf32.png) | Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния Исследование 12,44 Mb. 42 | o'qib |
![Химическая связь](/i/pptx32.png) | Химическая связь Si и до 1,5% Mn. Большое содержа-ние кремния снижает растворимость углеро-да. Поэтому углерод выделяется в виде графита Лекции 2,9 Mb. 3 | o'qib |
![Гетероструктурная технология](/i/docx32.png) | Гетероструктурная технология Kai по технологии плазмохимического осаждения синтезируются (наносятся) тонкие наноразмерные слои (пленки) аморфного гидрогенизированного кремния 480,84 Kb. 1 | o'qib |
![Структура и свойства карбида кремния. 2Гаибназаров Б. Б](/i/docx32.png) | Структура и свойства карбида кремния. 2Гаибназаров Б. Б H-siC и 6h-siC, однако их производство остается более дорогим, по сравнению с кремнием (Si) 269,04 Kb. 4 | o'qib |
![Активный коралловый кальций](/i/pdf32.png) | Активный коралловый кальций D3, мелкозернистого диоксида кремния и стеарата кальция еще больше повышает скорость и способность усвояемости кальция Руководство 1,56 Mb. 1 | o'qib |
![Кремний и оксид кремния](/i/ppt32.png) | Кремний и оксид кремния Kremniy 1811 yilda fransuz olimlari Jozef Lui Gey-Lyusak va Lui Jak Tenard tomonidan sof shaklda ajratilgan 3,09 Mb. 1 | o'qib |
![Программируемые логические матрицы, структура и применение. Группа №: 306](/i/docx32.png) | Программируемые логические матрицы, структура и применение. Группа №: 306 SiO2; – слой фоторезиста; – фотошаблон; – отверстие в фоторезисте; отверстие в оксиде кремния; – граница p – n-перехода; – металлический контакт Самостоятельная работа 300,93 Kb. 2 | o'qib |
![Предмет: Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур](/i/docx32.png) | Предмет: Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo и W), превышающем 1012-1013 ат/см3, снижается кпд фотоэлектрических преобразователей. В работе рассмотрены наиболее эффективные методы, используемые в обзорном анализе кремния – нейтронно-активационный анализ (наа) Реферат 346,12 Kb. 5 | o'qib |
![7. Мы выбрали исходных образцы разных удельных сопротивление, выращивание методом Чохралский и Безтигельной зонной плавки](/i/docx32.png) | 7. Мы выбрали исходных образцы разных удельных сопротивление, выращивание методом Чохралский и Безтигельной зонной плавки Vi группы с помощью высокотемпературной диффузии не позволяет получать и бинарные комплексы. В связи с этим нами был предложен новый способ легирования кремния так, называемое низкотемпературное и поэтапное легирование 21,45 Kb. 1 | o'qib |
![Фотоэлектрические параметры солнечных элементов на основе кремния легированного гольмием](/i/doc32.png) | Фотоэлектрические параметры солнечных элементов на основе кремния легированного гольмием Nно≈1017 см-3кпд солнечных элементов на 1,5÷1,6 больше, чем у обычных. Показано увеличение радиационной стойкости солнечные элементы на основе Si при облучении гамма–квантами изотопа Со60 91,5 Kb. 2 | o'qib |