Структура и свойства карбида кремния. 2Гаибназаров Б. Б

Структура и свойства карбида кремния.
²Гаибназаров Б.Б.,³Ротштейн В.М.,¹Хожиев Ш.Т., ¹Косимов И.О., ³И.Х. Худайкулов.
¹Институт биоорганической химии им.акад. О.С. Содыкова АН РУз,
²ТашГТУ, г.Ташкент, ул.Университетская 2.
³Институт Ионно-плазменных и лазерных технологий им. У.А. Арифова, АН РУз.

Аннотация
В работе представлены результаты комплексных исследований образцов SiC, являющегося одним из наиболее перспективных материалов в области полупроводниковой нанотехнологии. Идентификация и качественный анализа образца SiC осуществлялся методом спектроскопии комбинационного рассеяния, с использованием In Via Raman спектрометра [1-5]. На основе спектрограммы рентгенофазового анализа [6] были определены аморфные и кристаллические фазы данного вещества. При этом, по пикам спектрограммы, на основе индексов Миллера и межплоскостных расстояний d_hkl, показаны комплексные соединения, вновь образующиеся на основе карбида кремния. С использованием метода ИК спектроскопии получены ИК-спектры SiC в области оптического диапазона ν=400-4000 см^-1.
Введение
В настоящее время невозможно представить электронику без полупроводниковых гетероструктур. Такие структуры широко используются для создания светодиодов, коротковолновых фотодетекторов, полупроводниковых лазеров, солнечных элементов и других продуктов современной оптоэлектроники. Важными условиями широкого применения таких приборов является низкая себестоимость, а также их устойчивость к высоким температурам и другим критичным условиям. Перспективным материалом, для создания на его базе различных оптоэлектронных приборов, является карбид кремния (SiC). Карбид кремния — полупроводниковый материал, обладающий целым комплексом уникальных свойств, таких, как химическая, термическая и радиационная стойкость, высокая стабильность электрических и оптических характеристик [1]. В настоящее время освоен промышленный выпуск чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC и 6H-SiC, однако их производство остается более дорогим, по сравнению с кремнием (Si).
Спектры комбинационного рассеяния монокристаллов карбида кремния различных политипов исследовались достаточно подробно в работах ряда авторов, к примеру [1-5]. При этом авторами работ использовалось то, что хотя разные модификации кристаллов SiC мало отличаются по значениям многих параметров, так как представляют собой одинаковые слои кремния и углерода, составленные в несколько отличном порядке, что затрудняет их идентификацию по политипу, применяемый авторами метод комбинационного рассеяния позволяет, за счет чувствительности метода к длительности кратных периодов в кристаллической решетке, четко фиксировать линии, соответствующие определенному политипу монокристаллов SiC. Следует отметить, что метод комбинационного рассеяния позволяет выявить наличие даже малых включений политипов монокристаллов карбида кремния в исследуемых образцах.
Результаты указанных выше исследований были применены для интерпретации соответствующих спектров комбинационного рассеяния, в процессе идентификации и качественного анализа образца SiC.