Предмет: Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» 
Институт новых материалов и нанотехнологий

Предмет: Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур

Реферат


Выполнил : Орипов С.Х.


Приняла: Комарницкая Е.А.

Москва 2020-2021 г.

Тема: Исследование, влияние собственных точечных дефектов на электрофизические параметры кремния методом масс-спектрального анализа
План:
Введение

1. 
   Кремний и точечные дефекты кремния
   
2. 
   Активационный анализ
   
3. 
   Масс-спектрометрический анализ
   

Заключение
Список использованных литератур

Введение
Исследование свойств точечных дефектов, определяющих многие электрические и оптические свойства полупроводниковых материалов, является одним из наиболее развивающихся направления физики полупроводников. Для кремния, одного из основных материалов современной электронной промышленности, важное значение имеет примеси замещения III и V групп, являющиеся основными легирующими добавками, и радиационные дефекты, возникающие на различных стадиях создания и эксплуатации полупроводниковых приборов. Изучение свойств таких дефектов и носителей заряда, связанных на них, необходимо для понимания процессов, протекающих в кремнии и определяющих его физические свойства. Для исследования полупроводника как Si мы будем пользоваться методом масс-спектроскопии.

1. 
   Кремний и точечные дефекты кремния
   

Кремний – один из основных материалов современной микро и фотоэлектроники. Кремний представляет собой четырехкоординированный атом, который обычно тетраэдрически связан с четырьмя соседними атомами кремния. В кристаллическом кремнии (c-Si) эта тетраэдрическая структура продолжается в большом диапазоне, образуя, таким образом, хорошо упорядоченную кристаллическую решетку. В аморфном кремнии этого дальнего порядка нет. Скорее атомы образуют непрерывную случайную сеть. Более того, не все атомы в аморфном кремнии четырехкоординированы. Из-за неупорядоченной природы материала некоторые атомы имеют оборванные связи. Физически эти оборванные связи представляют собой дефекты в непрерывной случайной сети и могут вызывать аномальное электрическое поведение.