9-Ma’ruza: ims elementlarini izolyatsiyalash. Sxema ichida elektr izolyatsiyalash usullari. Teskari kuchlanish berilgan p-n o’tish bilan izolyatsiyalash Reja

 
b)
d) p-
n 
9.2. Qotishmali
 p-n
o’tish tuzilmasining hosil bo’lishi 
Qayta kristallanish paytida germaniy indiy atomlarini egallab oladi. Sovigan 
tomchining qolgan qismi yetarli tozalikdagi indiy bo’lib, omik kontakt vazifasini 
bajaradi. Unga tashqi chiqqich, odatda, ingichka nikel simi kavsharlanadi. 

---

Germaniy pastki qismiga qalay o’tqazilib, u n- germaniy uchun omik kontakt 
vazifasini o’taydi. Bu yerda ham tashqi chiqqich sifatida nikel simidan foydalanish 
mumkin. Hosil bo’lgan
p-n
o’tishlar keskin o’tishlar bo’lib, ularning maydoni 
nuqtaviy
p-n
o’tishlarga nisbatan katta bo’lganligi uchun sig’imi ancha katta. 
Shuning uchun bunday o’tishlar asosan quvvatli diodlar va tranzistorlar 
tayyorlashda qo’llaniladi. 
Diffuzion
p-n
 o’tishlar.
Diffuzion
 p-n 
o’tishni yaratish uchun yarimo’tkaz- 
gichga kirishmalarning gaz ko’rinishida, suyuq va qattiq fazadagi diffuziyasidan 
foydalaniladi. Usullardan biri gaz muhitda diffuziyani ko’ramiz. Bu holatda yupqa 
yarimo’tkazgich plastinka, masalan, kremniy n-tur akseptor bug’i bilan to’ldirilgan 
modda (bor) bug’ pechkaga kritiladi va yuqori temperaturagacha qizdiriladi. 
Kristallga kirgan kirishma diffuziya chuqurligi texnologik rejimga (temperatura va 
diffuziya vaqti) bog’liq va oson bajariladi. Diffuziya tugagandan so’ng 
plastinkaning bir tomoni va to’rt yoqlari boshlang’ich я-turgacha yediriladi va 
qolgan bir tomonida
 p-
tur diffuzion qatlam qoladi. 9.3-rasmda diffuzion
 p-n
o’tishni 
hosil bo’lishi, 4-rasmda diffuzion
 p-n 
o’tish tuzilmasi ko’rsatilgan. 
Diffuzion usul tekis
 p-n
o’tishlarni olishni ta’minlaydi. Undan tashqari, bu 
usul bitta plastinkada ko’plab o’tishlarni olish imkonini beradi.