9-Ma’ruza: ims elementlarini izolyatsiyalash. Sxema ichida elektr izolyatsiyalash usullari. Teskari kuchlanish berilgan p-n o’tish bilan izolyatsiyalash Reja

Epitaksial
p-n
 o’tishlar.
Epitaksial usulda elektron-kovak o’tishlarni olish 
turli tagliklarda yarimo’tkazgichli epitaksial pardalarni o’stirishga asoslangan. Agar 
o’sgan 
yarimo’tkazgich 
epitaksial 
qatlam 
o’tkazuvchanligi 
taglik 
o’tkazuvchanligiga qarama-qarshi bo’lsa,
 uridap-n 
o’tish hosil bo’ladi (9.7-rasmda 
9.6-rasm
.
Planar
 p-n
o’tishning 
vujudga kelish texnologik 
jarayoni bosqichlari 
9.5-rasm.
 
diffuzion 
p-
n
o’tish tuzilmasi
 

---

taglik sifatida
p-
germaniy bo’lib, unga л-turdagi epitaksial germaniy parda 
o’tqazilgan). 
Hozirgi vaqtda turli tagliklarda epitaksial pardalarni o’stirish usuli ishlab 
chiqilishi impulsli diodlar, yuqori takroriylikli tranzistorlar va boshqa 
yarimo’tkazgichli asboblarni ishlab chiqarishda keng qo’llanilmoqda. Epitaksial 
usul integral mikrosxemalar tayyorlashda keng qo’llaniladi. 
Ion legirlash bilan
 p-n
 o’tishlar olish. 
Keyingi yillarda ion legirlash usulida
p-n 
o’tishlarni olish samarali 
o’rganilmoqda va amaliyotda keng qo’llanilmoqda. Ion manbalarda akseptor yoki 
donor zarrachalar ion optik tizimda oqimni hosil qilib uni 40-800 keV 
energiyagacha tezlashtirilib yarimo’tkazgich plastinka — nishonga tushiriladi. 
Ionlarning yarimo’tkazgich plastinka chuqurligiga kirib borishi ularning 
energiyasiga bog’liq bo’lib, Iegirlanish darajasi ionlar oqimi bilan nishonni 
nurlantirish vaqtiga bog’liq. 
 
 
9.7-rasm.
Planar
 p-n 
o’tish tuzilmasining umumiy ko’rinishi 
Meza-o’tishlar.
Birlik texnologik jarayonlarda yarimo’tkazgichli asboblarni 
katta guruhda tayyorlashda meza-o’tishlar olinadi. Bunda
n- 
turdagi kremniyda 
diffuzion usulda
 p-
qatlam olinadi (9.7-rasm). Ma’lum chuqurlikda tekis 
p-n
o’tish 
olingandan keyin niqob orqali ushbu o’tishga lak surkaladi. Yedirish amali bilan 
niqob olinadi. Shundan keyin plastinka
p-n
o’tishlarga kesiladi. Alohida olingan 
element yoki kristallcha stulchaga o’xshab ketganligi uchun bunday tuzilmalarni 
meza-o’tishlar (ispancha
mesa- 
stolcha) deyiladi va bu texnologiyani meza- 
texnologiya deyiladi. Meza-texnologiya bo’yicha olingan bir guruh o’tishlarning 
parametrlarida farq kam bo’ladi. Bu texnologiya yaxshi o’rganilgan va yuqori 
takroriylikli tranzistorlarni ishlab chiqarishda keng qo’llaniladi.