9-Ma’ruza: ims elementlarini izolyatsiyalash. Sxema ichida elektr izolyatsiyalash usullari. Teskari kuchlanish berilgan p-n o’tish bilan izolyatsiyalash Reja

Nuqtaviy o’tishlar.
Nuqtaviy
p-n
o’tishlarni tayyorlash uchun
n- 
turdagi 
germaniydan foydalaniladi. Oldindan silliqlangan plastinkaga diametri 20—30 
mkm bo’lgan berilliy bronzadan qilingan nina—zond mahkamlanadi. Keyin 
elektrokavsharlash usulida zond orqali qisqa vaqtli imptilsli quwatli tok o’tkaziladi. 
Kontakt joy zond materialni erishigacha qizdiriladi va mis germaniy ichi tomon 
diffuziyalanib, zond ostida uncha katta bo’lmagan hajmda
 p-
tur sohani hosil qiladi, 
chunki mis germaniy uchun akseptor kirishma vazifasini o’taydi (9.1-rasm). Ba’zan
 

---

p- 
sohada konsentratsiyani oshirish uchun nina uchiga akseptor kirishma (In yoki 
Al) o’tqaziladi. Bunda kontaktning o’tkazuvchanligi 100 mA/V ga yetadi. 
Nuqtaviy o’tishlarning kontakt maydoni juda kichik bo’lganligi uchun p-n 
o’tish sig’imi kichik bo’ladi. Shuning uchun ulardan yuqori va o’ta yuqori 
takroriylikli diodlar tayyorlashda foydalaniladi. 
9.1-rasm. Nuqtaviy p-n o’tish tuzilmasining ko’rinishi 
Qotishmali
p-n
o’tishlar.
Qotishmali usulni qo’llaganda, silliqlangan va 
yedirilgan monokristall germaniy n-tur plastinkaga uch valentli kichkina metall 
parcha indiy o’rnatilib (9.2-rasm,
 a),
keyin inert gaz muhitida yoki vakuumda 550-
600°C temperaturagacha qizdiriladi. Bunda indiy shu tamperaturada eriydi va hosil 
bo’lgan tomchi germaniyni o’zida eritadi (9.2-rasm,
b).
Ma’lum vaqt o’tgandan 
so’ng pechka o’chiriladi. Sovuq indiyda germaniyning eruvchanligi kam, shuning 
uchun sovish natijasida germaniy qayta kristallana boshlaydi va tomchi tubida p-
turdagi qayta kristallangan yupqa qatlam hosil bo’ladi. 
In+Ge p-Ge
a)