6-mavzu. O‘tishning teshilishi. Teshilish turlari. Stablitronlar. Tunelli diodlar

2.19-rasm. Mos teshilish soxalari ko‘rsatilgan diodning voltamper xarakteristikasi (tavsifi)

Tunnel teshilish. Agarda hajmiy zaryad sohasi kengligi erkin yugurish yo‘lidan yetarlicha kichik bo‘lsa (d << l), u holda erkin yugurish vaqtida zaryad tashuvchilar ionlashtirish uchun zarur bo‘lgan qo‘shimcha energiyani olib ulgurmaydi. Bunday o‘tishlarda tunnel teshilishi yuzaga keladi. Bu samara agarda potensial to‘siqning har ikkala tomonida ruxsat etilgan energetik zonalar mavjud bo‘lgan holda kinetik energiyaga ega bo‘lgan zarrachalar to‘siqni yengib o‘ta olishi bilan tavsiflanadi. Kvant mexanikasidan ma’lumki, potensial to‘siq kengligi qanchalik kichik bo‘lsa, zarrachaning to‘siq orqali tunnel sizib o‘tishi ehtimoli shunchalik katta bo‘ladi. r-n o‘tish fizikasi nuqtai nazaridan, bu kichik kenglikka ega bo‘lgan kuchli legirlangan yarimo‘tkazgichlarda tunnel teshilish kuzatilishini bildiradi. Teshilishning tunnel mexanizmida tokning oqib o‘tishi 2.20-rasmda ko‘rsatilgan. Agarda teskari kuchlanish qiymati shunday bo‘lsaki, n soha o‘tkazuvchanlik zonasi tubi r sohaning valent zonasi yuqori qismidan pastga tushsa, u holda p sohaning valent zonasidan elektronlar, (Ye_s-Ye_v) yarimo‘tkazgichning taqiqlangan zonali n sohaning o‘tkazuvchanlik zonasida lokallashgan erkin energetik sathlarga sizib o‘tadi. Si yoki Ge asosida tayyorlangan diodlarda odatda teshilish kuchlanishining 4E_gq dan kichik qiymatlarida tunnel teshilishi kuzatiladi. Agarda, bunday diodlarda teshilish, teshilish kuchlanishining 6E_gq qiymatidan katta qiymatlarda boshlansa, u holda bunday diodlardagi teshilish mexanizmi asosan har ikkala ishorali zaryadlarning ko‘chki ko‘payishi tufayli sodir bo‘ladi,