15 ma’ruza mavzu: Bosma platalar va ularni loyixalash asoslari. Katta integral sxemalar va ularni asosiy turlari xamda texnik ko‘rsatgichlari, xotira qurilmalari

  15 - MA’RUZA MAVZU: Bosma platalar va ularni loyixalash asoslari. Katta integral sxemalar va ularni asosiy turlari xamda texnik ko‘rsatgichlari, xotira qurilmalari.

REJA:

1. Raqamli integral mikrosxemalar.

2. Katta integral mikrosxemalar.

3. Elektron va yarim o`tkazgichli qurilmalarni loyihalashni umumiy holatlari.

Raqamli integral mikrosxemalar.

• Integral mikrosxema (IMS) – bu o`zaro bog`langan bir necha tranzistorlar, diodlar, kondensatorlar. Rezistorlar yig`indisi hisoblanadi va u yagona texnologik siklda tayyorlanib (yani bir paytda), elektr signallarini o`zgartirishda ma`lum funksiyalarni bajaradi.
• IMS tarkibiga kirgan komponentlar undan mustaqil ajratib olinishi va mustaqil buyum sifatida ishlatilishi mumkin emas. Ular integral elementlar deb ataladi. Ulardan farqli o`laroq ularga konstruktiv moslashtirilgan detal va qurilmalar diskret komponentlar deb ataladi. Ular asosida tuzilgan bloklar esa diskret sxemalar deb ataladi.
• Yuqori puhtalik va sifat, ihchamlik, engillik, arzonlik integral mikrosxemalarini halq ho`jaligini barcha sohalarida keng qo`llanilishga sabab bo`lmoqda. Zamonaviy mikroelektrotexnika asosini yarimo`tkazgichli integral mikrosxemnalar tashkil etmoqda. Zamonaviy yarimo`tkazgichli IMS kristtallarini o`lchamlari 1,5x1,5 dan 6x6 mm gacha.
• Kristall maydoni qancha katta bo`lsa unga shuncha ko`p elementli integral mikrosxemani joylashtirish mumkin bo`ladi.
• Integral mikrosxemalarida tranzistorlarni ma`lum ulanishlar asosida rezistor va kondensator hosil qilish mumkin.

Katta integral mikrosxema

• Ko`p sonli bir turli yacheykalardan tashkil topgan ko`p o`lchamli yarimo`tkazgichli qurilmaga aytiladi. U murakkab funksiaonal sxemaga birlashgan bo`ladi.
• Hozirgi kunda ishlab chiqarayotgan katta integral mikrosxemalar (KIMS) 10 ming va undan ortiq mantiq elementlaridan tashkil topadi.
• Barcha KIMS lar uch sinfga bo`linadi.
• hisoblagichlar, rezistorlar, jamlagichlar, arifmetik-mantiq qurilmalari tipidagi funksional bloklar:
• xotiras qurilmalari (XQ):
• mikroprosessorlar (MP).

Elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni loyihalashni umumiy holatlari

• To`g`ri elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni strukturaviy va prinspial elektr sxemalari ularni ishlash prinsplarini taxlil qilishga o`rgatadi. Ammo bu elektr sxemalar elektrik va yarimo`tkazgichli qurilmalarni konstruksiyasini belgilay olmaydi, balki ularni tuzish uchun asos bo`la oladi holos. Bunday qurilmalarni loyihalashni asosiy prinsplari haqida tushunchalar ularni ishlab chiqarishdagina emas. Balki ulardan foydalanish uchun ham kerak bo`ladi. Elektron va yarimo`tkazgichli qurilmalarni elementlari aktiv va passiv bo`linadi.
• Aktiv elementlarga quyidagilar kiradi: yarimo`tkazgichli va elektrovakuum asboblar.
• Passiv elementlarga esa: rezistorlar, kondensatorlar, transformatorlar, induktivlik g`altaklari, rele, ulagichlar, indikatorlar, sim va kabellar.

IMS ni yaratish texnologyasining asosiy bosqichlari

• Yarim o’tkazgich namunani IMS yasash uchun tayyorlash jarayonlari;
• Fotolitografiya jarayoni;
• Diffuziya;
• Epitaksiya;
• Termik oksidlash;
• Ion legirlash;
• Metallash va boshqa yakunlovchi bosqichlar;

Yarim o’tkazgich namunani IMS yasash uchun tayyorlash

• Bu bosqich quyidagi jarayonlarni o’z ichiga oladi:
• a) kremniy monokristallini o’stirish;
• b) uni olmos keskich vositasida disklarga kesish;
• v) korund, volfram karbidi yoki olmos kukuni ko’rinishidagi obraziv yoki ultratovush yordamida namunaga mexanik ishlov berish;
• g) sirka kislotasi yoki azot kislotasida yuvib, sayqallash;
• d) namunaning sayqallangan sirtiga n yoki p – turdagi epitaksial qatlam o’stirish va SiO2 muhofaza qatlamini hosil qilish.

IMS ishlab chiqarishning asosiy texnologiyaviy bosqichlari

Agregatlanish