10-tema. Ápiwayi invertorli TTL.
Quramali invertorli hám Shottki barerli TTL.
Reje:
Ápiwayı invertorlı TTL LE sxeması
Quramalı invertorlı TTL sxeması
Logikalıq IMS negizgi elementleri dúzilisine kóre tómendegi toparlarǵa bólinedi: diodli – tranzistorli elementler (DTL); tranzistor – tranzistorli logikalıq elementleri (TTL); tokti qayta jalǵaǵshlari tiykarindaǵI emmiterleri baylanisqan logikalıq elementleri (EBL); MDYA – tranzistorlarda jasalǵn elementler; injekcion derekli elementler (I2L). Elektron gilti túrindegi logikalıq túri menen aniqlanadi.
Eger gilt sxemasi quraminda tranzistordan tisqari basqa elektr radioelementler (rezistor, diod) bolsa, bul halat integraciya dárejesin páseytiredi hám sol sebepli bul logikalıq túri orta hám úlken integraciyali sanli integral mikrosxemalardıń negizgi elementleri retinde qollanilmaydi. Tómedegi zamanagóy sanli integral qurılmalarda qollanilatuǵın negizgi elementleri kórip shiǵiladi.
Tranzistor – tranzistorli logikalıq elementleri (TTL). Bul logikalıq túrinde electron giltler menen basqarilatuǵın kóp emmiterli transistor (KET)da orinlanǵan invertor qollaniladi. Shıǵısta ápiwayi invertor bolǵan TTL sxemasi 9.5 а – súwrette keltirilgen.
Х1 hám Х2 kirisleri logikalıq bir potencialina iye (2, 4 V) dep qarayiq. Bunda KET emmiterlik ótiwleri jabiq boladı hám tok tómendegi shinjir arqali aǵip ótedi: kernew deregi Еd – resistor R1 – KETdıń ashıq bolǵan kollektorliq ótiwi VT1 transistor bazasina baǵitlanǵan boladı, sol sebepli VT1 toyıniw rejimine ótedi hám oniń kollektorinda logikalıq nol tómen potenciali ornatiladi (0, 4 V).
а) б)
10.1 – súwret.
Endi bolsa, eki kiriske kishi kernew potenciali (logikalıq nol potenciali) berilgen dep qarastirayiq. Bul halatta KETdıń emmiterlik ótiwleri kollektorliq ótiwi siyaqli tuwiri baǵtta jıljiǵan boladı. KETdıń baza toǵI artadi, bul transistordıń kollektor toǵI, demek, VT1 baza toǵI bolsa sezilerli kemeyedi. KETdıń toǵI tiykarinan tómendegi jóneliste aǵip ótedi: kernew deregi Еd– rezistor R1 – KETdıń baza – emmiteri – kirisindegi siynel deregi – uliwma shina. VT1 transistordıń baza toǵI derli nolge teń bolǵanlıǵı sebepli, bul transistor jabiladi hám sxemaniń Shıǵısinda joqarı kernew dárejesi (2, 4 V – logikalıq bir) júzege keledi.
Kórinip turǵaninday, tek bir kiriske logikalıq 0 berilse halat ózgermeydi. Demek, qandayda bir kiriste logikalıq 0 bar bolsa Shıǵısta logikalıq 1 hasil boladı. Qashanda bárshe kirislerge logikalıq 1 berilseǵana Shıǵısta logikalıq 0 hasil boladı. Haqiyqatliq kesteni dúzip bul element 2HÁM-EMES ámelin orinlawdi kóremiz. Kórip ótilgen bul element kishi tosqinliqlarǵa Turaqlılıǵı, kishi júkleme qábiletin hám júkleme kólemi Сj (úlken R2 qarsiliq arqali)na islegende, kishi tezlikke iye ekenligi sebepli keń kólemde qollanilmaydi
Quramali invertorli TTL sxemasi kórip ótilgen sxemaǵa qaraǵanda jaqsilanǵan parametrlerge iye (10 б- súwret). Bul element úsh basqishtan quralǵan:
kiriste R0 rezistorli kóp emmiterli transistor (HA”M logikalıq ámelin orinlaydi);
R1 hám R2 rezistorli VT1 transistorda orinlanǵan VT2 hám VT3 transistorlar, R3 rezistor hám VD diodta orinlanǵan eki taktli Shıǵıs kúsheytkishi.
Bul sxema salistirmali kishi Shıǵıs qarsiliqqa iye bolıp, júkleme kólemindaǵI qayta zaryadlaniwdi tezlestiredi.
Ápiwayi sxemadaǵI siyaqli, bul sxemada Shıǵısta U1 dáreje aliwi ushın, KETdıń qandayda kirisine logikalıq nol dáreje beriliwi kerek. Bul waqitta VT1 hám VT3 transistorlar jabiladi, VT1 kollektorindaǵI kernew úlken bolǵanlıǵı sebepli VT2 ashiladi. Сj júkleme kólemiVT2 hám diod VD arqali zaryadlanadi. R3 rezistor úlken júkleniwden saqlanǵan halda VT2 transistor arqali tokti shekleydi
KET dıń bárshe emmiterlerine U1 dáreje berilse VT1 hám VT3 transistorlar toyınadi, VT2 transistor bolsa derli jabiladi. Сj júkleme kólemi toyınǵan VT3 transistor arqali tez zaryadsizlanadi. TTL sxemalariniń tezligin jánede asiriw maqsetinde olarda diod hám Shottki transistorlari qollaniladi. Bul modifikaciya . TTLSh dep belgilenedi.
Do'stlaringiz bilan baham: |