10-tema. Ápiwayi invertorli ttl. Quramali invertorli hám Shottki barerli ttl. Reje

Komplementar KMDYA – tranzistorlarda jasalǵn ogikaliq elementler (KMDYA). Eki kirisli element sxemasi 9.8 – súwrette keltirilgen. Eki kiriskede logikalıq nolge sáykes siynel berilse n – kanalli VT1 hám VT2 tranzistorlar jabiladi, р – kanalli VT3 hám VT4 tranzistorlar ashiladi.
Jabıq tranzistorların kanallındaǵı tok júdá kishi (10^-10А). Demek, derekten tok derli paydalanilmaydi hám sxemaniń Shıǵısinda Еd ǵa jaqin potencial ornatiladi (logikalıq bir dárejesi). Eger qandayda bir kiriske yaki eki kiriske de (logikalıq bir dárejesi berilse, VT1 hám VT2 tranzistorlar ashiladi hám element Shıǵısinda potencial nolge jaqin boladı. Element 2YAKI–EMES ámelin orinlaydi. Paydalaniw quwati 0, 010, 05 mVt ti, tezkerligi bolsa 1020 ns ti quraydi.

10.2 – súwret.


Integral – injekcion (logikalıq elementti (I²L). Gilt komplementar bipolyar tranzistorlar juplıǵınan quralǵan bolıp, n-p-n túrli VT1 tranzistor kóp kollektorli bolıp, oniń baza shinjirina p-n-p túrli VT2 kóp kollektorli transistor jalǵanǵan. Bul tranzistor injector atamasin alǵan bolıp, Turaqlı tok generatori waziypasin orinlaydi (9.10 а – súwret.)

а) б)
10.3 – súwret.
VT1 tranzistordıń emmiter – kollektor aralıǵı gilt waziypasin orinlaydi. Siynel deregi hám júkleme retinde tap usinday sxemalar paydalaniladi. Eger kiriske logikalıq birge sáykes keliwshi potencial berilse, VT1 tranzistor ashiladi hám toyıniw rejiminde boladı. Oniń ShıǵısindaǵI potencial nol potencialǵa sáykes keledi. Kiriske logikalıq nolge sáykes keliwshi potencial berilse, VT1 tranzistoriniń emmiter ótiwi jabiladi. Tesikler toǵI I_t (qayta jalǵaniw toǵI) VT1 tranzistoriniń kollektor ótiwin keri baǵitta jalǵaydi. Buniń nátiyjesinde VT1 shiǵs qarsilıǵı keskin artadi hám oniń shiǵsinda logikalıq bir potenciali hasil boladı. Yaǵnıy usi sxema joqarıda kórilgen схемаlar siyaqli invertor waziypasin orinlaydi. Logikalıq ámellerdi orinlaw invertor shiǵslarin metal similar menen birlestiriw nátiyjesinde ámelge asiriladi. 9.10 б – súwrette HA”M ámelin orinlaw usili kórsetilgen. Haqiyqattanda, eger Х1 yaki Х2 kirislerden birine joqarı potencial berilse U¹_kir, nátiyjede birlesken Shıǵıslarda (А noqat) pás potencial hasil boladı U⁰. Nátiyjede hám invers ózgeriwshileriniń konyukciyasi orinlanadi. Olar VT1 hám VT3 invertor shiǵslarinda hasil boladı: . I²L elementiniń tezkerligi 10100 ns hám paydalaniw quwati 0, 010, 1 mVt. Kristallda bir I²L elementi KMDYA –elementine qaraǵanda 34 mártebe kishi, TTL – elementine salistirǵanda bolsa 510 mártebe kishi júzeni iyeleydi.

Kórip ótilgen logikalıq IMS negizgi elementleriniń tiykarǵI parametrlerinińkestesi

Parametr	Negizgi element túri
	TTL	TTLSH	n - MDYA
Kernew deregi, V	5	5	5
Siyneldıń logikalıq ótiwi (U^1shiq- U^0 shiq), V	4, 5-0, 4	4, 5-0, 4	TTL menen sáykes keledi
Ruxsat etigen shawqimlar dárejesi, V	0, 8	0, 5	0, 5
Tezkerligi, tК. ort , ns	5-20	2-10	10-100
Paydalaniw quwati, mVt	2, 5-3, 5	2, 5-3, 5	0, 1-1, 5
Júkleme qábileti	10	10	20

Parametr	Negizgi element túri
	KMDYA	EBL	I^2L
Kernew deregi, V	3-15	-5, 2	1
Siyneldıń logikalıq ótiwi (U^1shiq- U^0 shiq), V	Еп-0	(-1, 6)-(-0, 7)	0, 5
Ruxsat etigen shawqimlar dárejesi, V	0, 4Еп	0, 15	0, 1
Tezkerligi, tК. ort , ns	1-100	0, 7-3	10-20
Paydalaniw quwati, mVt	0, 01-0, 1	20-50	0, 05
Júkleme qábileti	50	20	5-10

Tiykarǵı sanli IMS seriyalariniń logikalıq túrleri

Logikalıq túri	Sanli IMS seriya sani
ТТL	155, 133, 134, 158
ТТLSH	130, 131, 389, 599, 533, 555, 734, К530, 531, 1531, 1533, КР1802, КР1804
EBL	100, К500, 700, 1500, К1800, К1520
I^2L	КР582, 583, 584
р - MDYATL	К536, К1814
n - MDYATL	К580, 581, 586, 1801, 587, 588, 1820, 1813
КMYATL	164, 764, 564, 765, 176, 561