10 маъруза : Анизотип гетероўтишларда фотоэффект. Поликристалл яримўтказгичларда фотоэлектрик ҳодисалар

кескин 
гетероўтш
 
бўлади. Кўпинча гетероўтишлар юқори температурада олинади, 
натижада яримўтказгичларнинг элементлари ўзаро диффузияланиши ва чега-
ра соҳасида қаттиқ жисм эритмасини хосил қилиши мумкин. Бу ҳодисалар 
оҳиста гетероўтишга олиб келади. Оҳиста ўтиш кенглиги заряд ташувчилар-
нинг бир неча диффузион узунлигига тенг бўлади. 
Бир хил типдаги электр ўтказувчанликка эга бўлган, турли жинсли мате-
риаллардан ясалган 
п 

п, р 

р
ўтишлар 
изотип гетероўтшилар
 
деб 
аталади, ҳар хил типдаги ўтказувчанликка эга бўлган ҳар хил яримўтказ-
гичлардан олинган 
р 

 п-
ўтиш 
анизотип гетероўтиш
деб аталади. 
Олдин чегаравий ҳолатларни ҳисобга олмаган кескин гетероўтишнинг 
энергетик диаграммасини қуришни кўриб чиқайлик. Гетероўтишнинг 
Андерсон моделига Шоклининг диод назарияси асос қилиб олинган бўлиб, 
бунда яримўтказгичларнинг тақиқланган зоналар кенглиги, электроннинг 
ташқи чиқиш ишлари, яъни электрон яқинлик энергиялари (ϰ
01
ва ϰ
02
), 
электроннинг термодинамик ишлари (ϰ
1
ва ϰ
2
), нисбий диэлектрик 
сингдирувчанлик (ε
1
ва ε
2
) ҳар хил деб қаралади. Нисбий диэлектрик 
сингдирувчанликнинг чегара соҳасида узилишини электр майдон 
индукциясининг узлуксизлиги орқали ҳисобга олинади: 

---

ε
1
E
1

= ε
2
E
2

(10.1)

 
 
Яримўтказгичларда тақикланган зоналар кенглиги хамда электрон яқинлик 
энергияларининг ҳap хил бўлиши ўтказувчанлик зоналари тубининг ва ва-
лент зоналар шипининг чегара соҳасида узилишга олиб келади. Узилиш кес-
кин поғона шаклида бўлиб, уларнинг катталиги қуйидагича аникланади: