Ў з б е к и с т о н р е с п у б л и к а с и Олий ва Ўрта махсус таълим вазирлиги Абу Райҳон Беруний номидаги

Кимёвий таркиби

Бунда қаттиқ жисм юзасидаги ҳар қандай четки аралашмаларни йўқотишга ҳаракат қилинади; лекин бизга маълумки, адсорбция ҳисобига ёки қаттиқ жисм таркибида озгина миқдорда бўлса ҳам, аралашмаларнинг мавжудлиги туфайли четки (бегона) элемент атомларидан тамоман қутилиб бўлмайди. Агар четки атомларнинг концентрацияси қаттиқ жисм хоссалари ва хусусиятларига таъсири сезилмайдиган даражада кичик бўлса, бундай юзалар кимёвий жиҳатдан идеал ҳолга яқинроқ деб қабул қилинади. Умуман юзада актив элемент атомларининг миқдори 0,1% дан катта бўлмаслиги мақсадга мувофиқдир.

Юзанинг морфологияси

Ҳар қандай юза ўта юқори даражада силлиқланган бўлса ҳам маълум бир нотекисликларга эга бўлади. Бу нотекисликлар террасалар, поғоналар, вакант (бўш) жойлар, четки атомлар ва бошқаларнинг юзада мавжудлиги туфайли вужудга келади. Юзаларни силлиқлаш учун турли хил усуллар қўлланилади. Агар бу нотекисликларнинг катталиги 5-6 Е дан катта бўлмаса, бу юза идеал ҳолга яқин қилиб силлиқланган деб тушунилади.

Кристалл тузилиш

Релаксация ва реконструкция ҳисобига юза қатламларининг кристалл тузилиши ҳажмникидан фарқ қилади. Умуман олганда, юзанинг кристалл панжарасини ва бу панжара параметрларини ҳажмники билан бир хил қилиш идеал тоза жисмлар учун деярли мумкин эмас. Юзада кристалл тузилиши сақланса ва у юзанинг барча майдонларида бир хил бўлса, бундай юзани кристалл тузилиши жиҳатидан идеалга яқин деб қараш мумкин. Умуман, идеалга яқин юзалар ҳосил қилиш учун дастлаб қуйидаги усуллардан фойдаланилади:

а) кристалларни табиий ўстириш. Аммо бу усул жуда кам қўлланилади.
б) кристалларни юқори вакуум шароитида керакли йўналиш бўйича синдириш.
в) кристалларни керакли йўналиш бўйлаб кесиш. Бу усулда юза жуда қаттиқ деформацияга учрайди ва юзага ҳар ҳил четки атомлар келиб ўтириши мумкин; шунинг учун уларни силлиқлаш ва тозалаш учун махсус усуллар ишлатилади.
г) махсус тайёрланган асослар юзида эпитаксиал плёнкалар ҳосил қилиш.
Эпитаксиал плёнкалар жуда юқори вакуум шароитида (Р≤10^-8 Па) катта аниқлик билан ҳосил қилинади. Бундай плёнкаларнинг кимёвий тозалиги, кристалл тузилиши, юзасининг силлиқлиги юқори даражада бўлганлиги учун улар кейинги пайтда микроэлектроникада кенг қўлланилмоқда.