Способ измерения мощности ик- излучения и. Н. Каримов, В. А. Абдуазимов, М. Б. Фозилжонов

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МОЩНОСТИ ИК- ИЗЛУЧЕНИЯ


И.Н.Каримов, В.А.Абдуазимов, М.Б.Фозилжонов
Андижанский государственный университет

Взаимодействие лазерного излучения с веществом стало одним из наиболее актуальных проблем современной науки и техники.

Действие излучения сильно зависит от его мощности и энергии. При исследовании процессов взаимодействия важно тщательное измерение таких параметров, как мощность и энергия луча, и распределение энергии в пучке. В области инфракрасного (ИК) излучения (λ≤1,5мкм) применяются разнообразные приемники. Но для регистрации и измерения ИК – излучения с длиной волны 10,6 мкм (СО₂-лазера) применяется лишь несколько типов приемников. К ним относятся: фотоэлементы на основе теллурида кадмия с теллуридом ртути, германия с примесью золота или меди; полупроводниковые болометры; пироэлектрические приемники [1].
Фотоэлементқ считаются самими лучними приемниками, так как они непосредственно дают электрические сигналқ. Однако, указаннқе фотоэлементқ работают при глубоком охлаждении (~77⁰К), что вызывает соответствующие трудности при эксплуатации. Полупроводниковые болометры обычно характеризуются низкой чувствительностью и низким быстродействием, кроме того они применяются для излучения с ограниченным переделом мощности. Пироэлектрические приемники имеют высокую чувствительность и хорошее быстродействие, но они рассчитаны для регистрации слабых мощности излучений.
В связи с этим целособразно было определить новый способ измерения мощности ИК – излучения, который позволило бы расширять функциональные возможности используемого прибора так, чтобы можно было измерить не только мощность излучения, но и распределение энергии по профино луча.
Данный способ измерения мощности излучения позволяет значительно упростить процесс измерения. Измерение проводится при комнатной температуре. Как показывает эксперименты, мощность излучения в значительно широком диапазоне по сравнению с другими методами можно измерить с использованием ФЭП. Использование ФЭП с диодной структурой, к тому же на пленочной основе, позволяет создать приемники с высокой чувствительностью, которые могут конкурировать с пироэлектрическими приемниками.
Проведен анализ вышеуказанного способа и показано перспективность его применения в лазерной технологии.


Литература

1. 
   Ng K.K., Polito W.J., Ligenza J.R. Brawth kinetics of thin SiO₂ in a controlled antbient oxidation. J. appl.phyz. Lett. V.44, №6, 1984