Презентация гетероструктуры на основе SiGe…

ПРЕЗЕНТАЦИЯ
Гетероструктуры на основе SiGe…
Выполнил: Хуснитдинов Мансур Фанзилович,
Магистр 55-21М группы

Введение

Наноструктуры на основе германия-на-кремнии, несмотря на разницу параметров решеток в 4%, привлекают внимание технологов ввиду больших успехов в создании новых перспективных приборов с использовнием квантовых эффектов.
Появляются светоизлучающие и фотоприемные кремний-германиевые устройства, позволяющие кремниевой технологии успешно конкурировать с традиционно оптоэлектронными материалами, такими как соединения III–V.
В последние несколько лет наметились перспективы использования полупроводниковых материалов на основе германия и кремния, содержащих кластеры Ge нанометровых размеров (квантовые точки), ”встроенные” в матрицу Si.
Интерес к нанокластерам Ge и Si связан с рядом сле- дующих обстоятельств: 1) успехи в разработке технологии получения достаточно однородного по размеру массива нанокластеров Ge;
2) размеры нанокластеров удалось уменьшить до значений, обеспечивающих проявление эффектов размерного квантования и электронного взаимодействия вплоть до комнатной температуры;
3) совместимость разработанных методов с существующей кремниевой технологией изготовления дискретных приборов и схем. Такие разработки, считавшиеся до последнего времени экзотическими, могут привести к настоящей революции в кремниевой интегральной технологии.

Перспективы, проблемы и применение SiGe гетероструктуры

Постоянное уменьшение размеров и усложнение микроэлектронных структур сопровождается жесткими требованиями к качеству ультратонких слоев. Это имеет место для сверхмелких переходов SixGe1-x и локально легированных наноструктур, таких как квантовые ямы, проволоки или точки. Например, новое поколение Si / SixGe1-х на основе микро- и оптоэлектронные устройства, например Полевой транзистор с модуляцией скорости, резонансный туннельный диод, одноэлектронный транзистор, требует точного контроля шероховатости поверхности и интерфейса, структур с почти нулевым дефектом и очень резких профилей легирования в материалах как p-, так и n-типа. Есть несколько трудностей. Первый — это контроль и регулировка деформации (от полностью напряженных до полностью релаксированных 2D и 3D наноструктур), которая также определяет морфологическую эволюцию тонких слоев Si1-xGex и развитие неустойчивости роста. Вторая проблема — это перераспределение легирования во время роста, которое сочетает в себе термодинамический (движущая сила) и кинетический (скорость обмена) механизмы. Третья проблема — это требование нулевого дефекта для сверхтонких легированных переходов.