23-var. Integral mikrosxema (ims)

23-var.
1.Integral mikrosxema (IMS) elektrlik tárepten óz-ara baylanısqan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar hám t.basqalar) kompleksi bolıp, jeke texnologiyalıq ciklda orınlanadı, yaǵnıy bir waqıttıń ózinde jeke konstrukciya (tiykar)da málim informaciyanı qayta islew funkciyasın orınlaydı. IMSler ushın eki tiykarǵı belgi bar: konstruktivlik hám texnologiyalıq. Konstrukciya belgisi sonday, IMSniń bárshe elemenleri tiykarǵı tiykar ishinde yaki betinde jaylasadı, elektrlik tárepten birlestirilgen hám jalǵız qabatta jaylastırılǵan bolıp, pútin esaplanadı. IMS elementleriniń hámmesi yaki bir bólegi hám elementler ara baylanıslar pútin texnologiyalıq ciklda orınlanadı. Usı sebepli integral mikrosxemalar joqarı isenimlikke hám kishi bahaǵa iye.Házirgi kúnde jasalıw túri hám hasıl bolatuǵın strukturaǵa kóre IMSlerdiń úsh principial túri bar: yarım ótkizgishli, perdeli hám gibridli. Hár bir IMS túriniń konstrukciyası, mikrosxema quramına kiretuǵın element hám komponentler sanın ańlatıwshı integraciya dárejesi menen xarakterlenedi.Element dep qandayda bir elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator hám t.basqalar) funkciyasin ámelge asiriwshi IMS bólimine aytiladi hám ol kristall yaki tiykardan ajiralmaǵan konstrukciyada jasaladi.IMS konponenti dep oniń diskret element funkciyasin orinlattuǵın, biraq dáslepki bólek erkin ónim siyaqli montaj qilinatuǵın bólegine aytiladi.Tiykarǵı IMS konstruktivlik belgilerinen biri bolıp tiykar túri esaplanadi. Bul belgige kóre IMSler eki túrge bólinedi: yarim ótkizgishli hám dielektrik. Zamanagóy IMS ler aralaspali planar – epitaksial texnologiyadа jasaladi.Bul texnologiya planar texnologiyadаn sonisi menen parq qiladi, bárshe elementler р– túrdegi tiykarda ósirilgen n– túrdegi kremniy qatlaminda hasil qilinadi. pitaksia Epitaksiya dep kristall strukturasi tiykarǵısinnan bolǵan qatlam ósiriwge aytiladi.



Planar – epitaksial texnologiyadа jasalǵan tranzistorlar bir qansha tejemli, hámde planarliǵa qaraǵanda jaqsilanǵan parameter hám xarakteristikalarǵa iye.
2. Bul logikalıq túrinde electron giltler menen basqarilatuǵın kóp emmiterli transistor (KET)da orinlanǵan invertor qollaniladi. Shıǵısta ápiwayi invertor bolǵan TTL sxemasi 9.5 а – súwrette keltirilgen.Х1 hám Х2 kirisleri logikalıq bir potencialina iye (2, 4 V) dep qarayiq. Bunda KET emmiterlik ótiwleri jabiq boladı hám tok tómendegi shinjir arqali aǵip ótedi: kernew deregi Е_d – resistor R1 – KETdıń ashıq bolǵan kollektorliq ótiwi VT1 transistor bazasina baǵitlanǵan boladı, sol sebepli VT1 toyıniw rejimine ótedi hám oniń kollektorinda logikalıq nol tómen potenciali ornatiladi (0, 4 V).

3. Operacion kúsheytkish (ОК) – bul kernew boyınsha joqarı kúsheytiriw koefficienti (10⁴÷10⁶), joqarı kiris (10⁴10⁷ Om) hám kishi shıǵıs (0,1÷1 kOm) qarsılıqlarına iye bolǵan turaqlı tok kúsheytkishi. OK eki kiris hám bir shıǵısqa iye. Shıǵıs hám kiristegi siynellardiń polyarlılıǵına kóre kirislerdiń biri inver isleytuǵın (“-” belgisi menen belgilenedi), ekinshisi – inver islenbeytuǵın (“+” belgisi menen belgilenedi) dep ataladı.
Úlken kúsheytiwdi aliw ushın OKlar eki úsh basqishli Turaqlı tok kúsheytkishleri tiykarinda quriladi.8.11 – súwrette úsh basqishli OK strukturasi keltirilgen.

OKlarda udayına sızıqlı yaki sızıqsız shınjır kórinisindegi shuqır teris baylanıs orınlanǵan boladı. TKB qásiyetleri ОК tiykarında hár túrli analog hám impuls electron qurılmalar jaratıw múmkinshiligin beredi.