Oqim oynasi tranzistor sxemasining strukturasi bo'lib, u kirish oqimi bilan boshqariladigan oqim generatori bo'lib, unda kirish va chiqish oqimlari quvvat manbaining bitta umumiy chiqishiga ega va oqimlarning nisbati (aks ettirish koeffitsienti) doimiy bo'lib qoladi. keng diapazon va kuchlanish va haroratga ozgina bog'liq. Klassik oqim oynasi sxemasi kollektor davrlarida rezistorlar bilan bir xil o'tkazuvchanlikning ikkita tranzistorini o'z ichiga oladi. Rezistor qiymatlarining nisbati aks ettirish koeffitsientini aniqlaydi, u bittadan kam yoki katta bo'lishi mumkin (lekin chiqish tranzistorining oqim o'tkazish koeffitsientidan yuqori emas), agar qarshilik bo'lmasa, oqim nisbatda uzatiladi. 1:1 hisobida.Joriy oynaning aniqligi uchun zarur shart - bu integral mikrosxemalarning bir qismi sifatida osongina amalga oshiriladigan yaxshi haroratli ulanish va tranzistorlarning konstruktiv identifikatori, shuning uchun u erda oqim nometalllari keng qo'llaniladi. Agar siz bitta nazorat oqimini bir necha bosqichga (masalan, ularning sokin oqimlarini o'rnatish uchun) "nusxalash" ni istasangiz, joriy oynada bir nechta turli xil chiqish oqimlarini hosil qiluvchi bitta kirish va bir nechta chiqish tranzistorlari bo'lishi mumkin.
Bir nechta chiqish davrlari va oqimni aks ettirish koeffitsientlariJoriy oyna sxemasini shunday qurish mumkinki, chiquvchi chiqish oqimi (yoki kiruvchi - n-p-n tipidagi tranzistordan foydalanilganda bir nechta yuklarga uzatiladi. Rasmda ko'rsatilgan sxema bu g'oyaning qanday amalga oshirilishini ko'rsatadi. Eslatma. agar tranzistorlardan biri - oqim manbai to'yinganlik rejimiga o'tsa (masalan, uning yuki o'chirilgan bo'lsa), unda tayanch barcha tranzistorlarining asoslarini bog'laydigan umumiy chiziqdan kuchaygan oqim oladi, va shu munosabat bilan qolgan chiqish toklari kamayadi.Agar sxemaga boshqa tranzistor qo'shilsa, vaziyatni yaxshilash mumkin.Rasmda ko'p chiqishli oqim oynasining ikkita varianti ko'rsatilgan. Ushbu sxemalar ikki (yoki yarim) haydovchi oqimini aks ettiradi. Integral mikrosxemalardagi oqim nometalllarini ishlab chiqishda tokni aks ettirish koeffitsientlari emitent birikmalarining o'lchamlarini (maydonlarini) tanlash orqali o'rnatiladi.Boshqarish oqimining ko'paytmasi bo'lgan chiqish oqimini olishning yana bir usuli - chiqish tranzistorining emitent pallasida qo'shimcha qarshilikni kiritish. Agar sxema turli zichlikdagi oqimlar bilan ishlayotgan bo'lsa, u holda Ebers-Moll tenglamasiga ko'ra, UBE kuchlanish farqi faqat oqim zichligi nisbatiga bog'liq. Mos keladigan tranzistorlar uchun kollektor oqimlarining nisbati oqim zichligi nisbatiga teng. Grafik bunday holatda tayanch va emitent o'rtasidagi kuchlanish farqini aniqlash imkonini beradi va yagona bo'lmagan aks ettiruvchi joriy nometalllarni loyihalashda foydalidir.
Bir nechta chiqish davrlari va oqimni aks ettirish koeffitsientlariJoriy oyna sxemasini shunday qurish mumkinki, chiquvchi chiqish oqimi (yoki kiruvchi - n-p-n tipidagi tranzistordan foydalanilganda bir nechta yuklarga uzatiladi. Rasmda ko'rsatilgan sxema bu g'oyaning qanday amalga oshirilishini ko'rsatadi. Eslatma. agar tranzistorlardan biri - oqim manbai to'yinganlik rejimiga o'tsa (masalan, uning yuki o'chirilgan bo'lsa), unda tayanch barcha tranzistorlarining asoslarini bog'laydigan umumiy chiziqdan kuchaygan oqim oladi, va shu munosabat bilan qolgan chiqish toklari kamayadi.Agar sxemaga boshqa tranzistor qo'shilsa, vaziyatni yaxshilash mumkin.Rasmda ko'p chiqishli oqim oynasining ikkita varianti ko'rsatilgan. Ushbu sxemalar ikki (yoki yarim) haydovchi oqimini aks ettiradi. Integral mikrosxemalardagi oqim nometalllarini ishlab chiqishda tokni aks ettirish koeffitsientlari emitent birikmalarining o'lchamlarini (maydonlarini) tanlash orqali o'rnatiladi.Boshqarish oqimining ko'paytmasi bo'lgan chiqish oqimini olishning yana bir usuli - chiqish tranzistorining emitent pallasida qo'shimcha qarshilikni kiritish. Agar sxema turli zichlikdagi oqimlar bilan ishlayotgan bo'lsa, u holda Ebers-Moll tenglamasiga ko'ra, UBE kuchlanish farqi faqat oqim zichligi nisbatiga bog'liq. Mos keladigan tranzistorlar uchun kollektor oqimlarining nisbati oqim zichligi nisbatiga teng. Grafik bunday holatda tayanch va emitent o'rtasidagi kuchlanish farqini aniqlash imkonini beradi va yagona bo'lmagan aks ettiruvchi joriy nometalllarni loyihalashda foydalidir.
