1. Birinchi imslar yilda yaratildi.(1958) imslar necha hil usulda tayyorlaniladi.(3)

1.Birinchi IMSlar …… yilda yaratildi.(1958)

2. IMSlar necha hil usulda tayyorlaniladi.(3)

3. Elementlari yarimo‘tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikrosxemalar ...........deb ataladi.( yarimo‘tkazgich IMS)

4. ........................o‘lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib hisoblanadi. (nanoelektronika)

5. Sxemotexnika fani…….. (Elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar majmui bo‘lib, bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi.)

6. .................. deb, konstruksiyasi bo‘yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, ERE funksiyasini bajaruvchi IMS ning qismiga aytiladi. (kristall)

7. IMS ..................deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo‘lgan IMSning bo‘la-giga aytiladi. (komponenti)

8. Pardali texnologiyada element parametrlarining ruxsat etilgan tarqoqligi ................... 1÷2 % dan oshmaydi. ( 1÷2 %)

9. Parda hosil qilish usuli va u bilan bog‘liq parda qalinligiga muvofiq yupqa pardali (............)IMSlarga ajratiladi. (qalinligi 1-2 mkm)

10. Parda hosil qilish usuli va u bilan bog‘liq parda qalinligiga muvofiq qalin pardali IMSlarga(.................) ajratiladi. (qalinligi 10 mkm yuqori)

11. Gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar .......... yoki jajji metall qobiqlarda tayyorlanadi. (Qobiqsiz)

12. Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo‘tkazgich integral mikrosxemalar ....... va ....... IMSlarga ajratiladi. (bipolyar va MDYA)

13. IMSning funksional murakkabligi uning tarkibidagi element va komponentlar sonini ko‘rsatuvchi ................bilan ifodalanadi. (integratsiya darajasi)

14. Oddiy IMSlarga misol sifatida ....................ni ko‘rsatish mumkin. (mantiq elementlar )

15. Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko‘rinishida hosil qilingan mikro-sxemalar .... deb ataladi. (pardali IMS)

16. ..…….umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. (Gibrid IMS )

17. Funksional vazifasiga ko‘ra ISlar .........larga bo‘linadi. ( anolog va raqamli)

18. Mikrosxema tarkibiga kiruvchi mantiq elementlarning soni Nel bo‘lganda raqamli mikrosxemaning murakkabliligi K = lg Nel funksional integrallash darajasi bilan xarakterlanadi. Oddiy integral sxemani ko‘rsating. (K<=1)

19. Qaysi IC o‘rtacha deb ataladi. (1

20. Qaysi IC katta deb ataladi. ( 2

21. Qaysi IC o‘ta katta deb ataladi. (K>3)

22. Kuchaytirgich deb (manba energiyasini kirish signali qonuniyatiga mos ravishda chiqish signali energiyasiga o‘zgartiruvchi qurilmaga aytiladi.)

23. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti. ()

24. Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti . ()

25. Past chastota kuchaytirgichlar (PCHK). (kuchaytiriladigan chastotalar diapazoni birlarcha gersdan yuzlarcha kilogersgacha)

26. Yuqori chastota kuchaytirgichlar (YUCHK). (kuchaytiriladigan chastotalar diapazoni yuzlarcha kilogersdan megagersgacha)

27. Keng polosali kuchaytirgichlar. (kuchaytirish diapazoni o‘nlarcha gersdan yuzlarcha megagersgacha juda tor chastotalar)

28.Tanlovchi (rezonans) kuchaytirgichlar. (juda tor chastotalar)

29. Teskari aloqa (TA) deb… ( kuchaytirgich chiqish zanjiridan kirish zanjiriga energiya uzatishga aytiladi.)

30.Kuchlanish bo‘yicha TA amalga oshirilganda…( TA zanjiri sxema chiqishiga yuklama bilan parallel ulanadi.)

31.Tok bo‘yicha TA amalga oshirilganda (TA zanjiri sxema chiqishiga RYU bilan ketma –ket ulanadi)

32. TA zanjirining kuchaytirgich kirishiga ulanish usuliga mos ravishda ..............TAlarga ajratiladi.( ketma – ket va parallel)

33. Ketma – ket ulangan TA amalga oshirilayotganda TA zanjiri kuchay-tirgichning kirish tomonidan signal manbaiga .......... ulanadi. (ketma – ket)

34.Parallel ulangan TA amalga oshirilayotganda TA zanjiri kuchaytir-gichning kirish tomonidan signal manbaiga .............ulanadi. (parallel)

35. .…….. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo‘ljallangan.( operatsion kuchaytirgich )

36. Operatsion kuchaytirgich nechta kirishga ega. (2)

37. OKda ikki qutbli (...........) kuchlanish manbai qo‘llaniladi. ((±3 V... ±20 V) )

38. OKning asosiy xarakteristikalaridan biri bo‘lib uning ....... xarakteristikasi hisoblanadi. (amplituda)

39. Kuchaytirishning kompleks koeffitsiyenti deb....... kattalik aytiladi. ()

40. ............ deb kirish signallari ustida aniq bir mantiqiy amal bajaradigan elektron qurilmaga aytiladi. (mantiqiy element)

41. Ikkilik axborotni ifodalash usuliga ko‘ra qurilmalar .............. raqamli qurilmalarga bo‘linadi. (potensial va impuls)

42. RIS ishlashi uchun, signal har bir MEdan o‘tganda standart .............................. ega bo‘lishi lozim. (amplituda va davomiylikka )

43. ................. deganda MEning xalaqitlarga ta’sirchan emasligi tushuniladi. (Xalaqitbardoshlik)

44. MEni parametrlari va shakllantirish xossalari ularning ....................... xarakteristikalaridan aniqlanadi. (Statik va dinamik)

45. MEning asosiy ............ xarakteristikasi bo‘lib chiqish kuchlanishining kirish kuchlanishiga boliqligi hisoblanadi. (statik )

46. Kichik kirish signallariga yuqori chiqish signallari mos keladigan element............ deb ataladi. (inverslaydigan )

47. Kichik kirish signallariga kichik chiqish signallari mos keladigan element................ deb ataladi. (Inverslamaydigan )

48. ............. elementlar keng tarqalgan va ko‘p ishlab chiqarila-digan RIS hisoblanadi. (Tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM))

49. Tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) larda qanday tranzistorlardan foydalaniladi. (ko‘p emitterli transistor )

50. Standart (TTM) sxemalarda kirishlar (emitterlar) soni .......( KBIRL ≤ 8).