Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги заҳириддин муҳаммад бобур номидаги

3.8-
расм. Солиштирма қаршилигининг температурага боғлиқлиги
 
Таркибига ишқорий металл атомлари киритилган
(2, 3 ва 4) 
гранулланган кремний солиштирма қаршилиги (
ρ
) нинг температурага 
боғлиқлиги 
1-
расмда тасвирланган. Олинган натижаларни таққослаш 
мақсадида ишқорий
металл атомлари киритилмаган гранулланган 
кремнийнинг солиштирма қаршилиги (1) ҳам келтирилган. Тадқиқот 
натижаларидан кўринадики, таркибига ишқорий металл атомларининг 
киритилиши гранулланган кремний солиштирма қаршилигига сезиларли 
таъсир қилади. Масалан, температура ортишининг бошланғич ҳолатларида 
солиштирма қаршилик 2 марта, температура ортишининг кейинги 
босқичларида 5÷8 мартагача камайишига олиб келиши аниқланди. 
Хулоса қилиб айтганда, бу ҳолат ишқорий металл атомлари томонидан 
гранулаларнинг икки туташган соҳасида ҳосил бўлган киришмали ҳолат ва 
нуқсонлардан иборат (3.7
-
расм, 5 соҳа) рекомбинация марказларининг 
бартараф қилинишига боғлиқ бўлиши мумкин. Рекомбинация марказлари, 
яъни гранулаларнинг икки туташган соҳасида киришмали ҳолат ёки 
нуқсонларнинг ҳосил бўлиши ва уларни ишқорий металл атомлари 
таъсирида бартараф қилиш механизмини ойдинлаштириш қизиқиш 
уйғотади. 
 
 
85 

---

Адабиётлар
: 
1.
Зайнабидинов С.З.
, 
Абдурахманов Б.М., Алиев Р., Олимов Л.О., 
Мухтаров Э. Получение поликристаллических пластин из кремниевого 
порошка. // Гелиотехника. №3
. 2005. - 
С.79
-82. 
2.
Зайнабидинов С., Алиев Р., Мансуров Х., Олимов Л.О., Жалилов Н. 
«
Электрофизические свойства кремниевых пластин, полученных с
использованием порошковой технологии». 
// 
Всероссийская конф. 
«Кремний
-2003», - 
Москва, 19
-
24 мая. 2003. 
- 
С. 87.
3.
Б.Л. Оксенгендлер Б.М. Абдурахманов М.М. Адилов, Х.Б. Ашуров. 
«Новые аспекты термоэлектричества: электронные скуттерудиты». // 
Гелиотехника. №2, 2017. 
- 
С.37
-40. 
4.
Олимов Л.О. Нанофизика асослари. Ўқув қўлланма. 
– 
Тошкент:
Янги 
аср авлоди наширёти. 2014. 
– 
Б. 140. 
5.
Олимов 
Л.О., 
Абдурахманов 
Б.М., 
Абдураззақов 
Ф.С. 
Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и 
её влияние на перенос носителей заряда.
// 
Физическая инженерия 
поверхности, Харьков, т.8, №.1, 
2010. - 
С.72
-76. 
6.
Олимов Л.О. Влияние щелочных металлов на электронные свойства 
межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния. 
/ 
Ўзбекистон Республикаси фанлар академияси маърузалари. №3, 2008
. - 
С.36
-39. 
7.
Олимов Л.О. Исследование структуры и электрофизические свойства 
межзеренных границ поликристаллического кремния. 
// 
Ўзбекистон 
физика журнали, №5
-6, 2007. - 
С.361
-365. 
8.
А.В. Дмитриев, И.П. Звягин. Современные тенденции развития 
физики термоэлектрических материалов. // Успехи физических наук., том 
180. вып 8. 2010. 
– 
С. 821.
9.
Олимов
Л.О., Абдурахманов Б.М., Тешабоев
А. Влияние атомов
щелочных металлов
на перенос носителей заряда в области межзеренных
границ поликристаллического
кремния. 
// 
«Материаловедение», № 1, 2014
. 
- 
С.79
-82. 
86 

---