Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги наманган муҳандислик – Қурилиш

нанокластера А
n
больше, чем работа выхода 
монокристаллической нити на 
подложке А
Si
, то её свободные электроны 
перейдут в нановключение. Формируется отрицательно заряженный 
точечный объект (нанообъект), который является, по существу, р-областью 
наногетероперехода (или формируется наноразмерное пространство, в 
котором локализуются отрицательные заряды).
Переход электронов в нанокластер приводит к образованию в глубине 
подложки нитевидной n-области наногетероперехода в виде длинной череды 
локализованных, неподвижных, положительно заряженных остаточных 
доноров. Средние расстояния между заряженными остаточными донорами - 
порядка мкм, а вся нитевидная n-область имеет длину в несколько мкм 
(полупроводниковый макрообъект). Контактное электростатическое поле 
подобной структуры наногетероперехода имеет вид английской булавки: 
головка булавки - р-область, а длинная игла – нитевидная n-область 
наногетероперехода. Несмотря на чрезвычайно малую величину фототока в 
каждом наноразмерном p-n переходе (величина тока порядка пикоампер), в 
целом эффективность СЭ, как показано в работах, определяется совокупным 
действием сотен миллионов на квадратный сантиметр параллельно 
соединенных р-n переходов. 
Крепкое сцепление наногетероперехода с подложкой усиливается 
также электростатическим взаимодействием между противоположными 
зарядами, локализованными в его макро и нано объектах.
Каждый наногетеропереход действительно можно рассматривать как
 

---

91 

p-n переход (электростатическое поле контакта сформировано двумя 
фиксированными противоположно заряженными частями); 

гетеропереход (контакт двух разных полупроводников); 

наноразмерная структура (один из элементов – нанокластер). 
Заключение 
Именно сочетание в новом солнечном элементе макро- и нано-
компонент позволяет, на базе сильно дефектного кремния, создавать 
достаточно эффективную контактную структуру солнечного элемента. 
Отличие выражается в том, что фотопреобразующие функции такого 
солнечного элемента осуществляются не отдельным цельным кремниевым p-
n переходом (как в традиционном солнечном элементе), а во многих 
параллельно между собой соединенных наногетеропереходах или 
наногетероконтактных структурах.