Ўзбекистон республикаси фанлар академияси

Литература: 
1.
Андреев И.А., Ивлева Л.И. Кристаллы для эффективного преобразования и управления 
лазерным излучением // Оптический журнал. 2007. -Тошкент: 74. №9. С.40-44. 
2.
Бондаренко B.C., Бышевский С.А., Переломова Н.В., Чирков Е. Об экстремальных 
направлениях эффективной фотоупругой постоянной. // Кристаллография. – Москва, 1985. -
Тошкент: 30. Вып.2. С. 220-226. 
3.
Нарасимхамурти S.Т. Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов. -М.: Мир, 
1984. 620 с. 
 
ВКЛАД ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ В ЗАТУХАНИЕ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В 
КРИСТАЛЛАХ СИЛИКАТА ВИСМУТА
Ж.О.Курбанов, Ф.Р.Ахмеджанов, М.В.Гафурова 
Институт Ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз.
 
Как известно, в кристаллах, обладающих пьезоэлектрическими свойствами, при 
больших коэффициентах электромеханической связи, должна наблюдаться дисперсия скорости 
распространения и вклад диэлектрических потерь в величину затухания акустических волн [1]. 
Данный механизм представляет собой воздействие на упругие диполи поляризационной волны 
электрического поля, сопровождающей пьезоактивную волну. В результате происходит 
дополнительное затухание акустической волны. 
В работе проведены исследования затухания акустических волн в кристаллах силиката 
висмута (Bi
12
SiO
20
), обладающих достаточно большим коэффициентом электромеханической 
связи. 
Образцы 
кристаллов 
силиката 
висмута 
были 
ориентированы 
вдоль 
кристаллографических направлений <100>, <110> и <001> с точностью не хуже 1
0
. 
Акустические волны в диапазоне частот 0.4–1.2 ГГц возбуждались с помощью 
пьезопреобразователей из кварца, соответствующих срезов. Коэффициент затухания
определялся методом Брэгговской дифракции света (=6328 нм.) на акустической волне по 
зависимости интенсивности дифрагированного света 
I
(
x
), от расстояния до преобразователя
 
вдоль направления распространения акустической волны [2].
(1)где (
x
2
-
x
1
) – расстояние между измеряемыми точками в образце. Точность 
определения коэффициента затухания составляла около 5%.

---

159 
На основе экспериментальных результатов по скорости и затуханию акустических волн 
и литературных данных [3] определены все независимые действительные и мнимые 
компоненты комплексного тензора упругих постоянных кристаллов силиката висмута, которые 
использовались для расчета скоростей и коэффициентов затухания вдоль любого направления. 
Показано, что в кристаллах Bi
12
SiO
20
вклад диэлектрических потерь в акустическое затухание 
наиболее значителен для пьезоактивных поперечных волн вдоль [110]. Этот вклад составляет 
около 30%. Отметим, что экспериментальные результаты можно объяснить только с учетом 
вклада диэлектрических потерь, благодаря которому величина затухания у пьезоактивных волн 
больше. 
Экспериментальные результаты и полученные нами формулы позволяют провести 
расчет величины диэлектрических потерь в этих кристаллах. Расчет дает величину tg = 0,610
-3
, 
которая согласуется со значением tg = 0,910
~3
, для силиката висмута в [3].
Таким образом, диэлектрические потери вносят вклад в затухание пьезоактивных 
акустических волн в кристаллах силиката висмута, который надо учитывать. Поскольку в 
области tg <<1 диэлектрические потери, как правило, растут прямо пропорционально частоте, 
то рассмотренный механизм затухания акустических волн дает, как и механизм Ахиезера, 
квадратичную зависимость затухания от частоты.