Ўзбекистон республикаси алоқа ва ахборотлаштириш агентлиги тошкент ахборот технологиялари университети

Комплементар МДЯ – транзисторларда ясалган мантиқий элементлар (КМДЯМ). Икки киришли элемент схемаси 9.8 – расмда келтирилган. Иккаола киришга мантиқий нольга мос сигнал берилса n – каналли VT1 ва VT2 транзисторлар беркилади, р – каналли VT3 ва VT4 транзисторлар очилади.
Берк транзисторларнинг каналидаги ток жуда кичик (10^-10А). Демак, манбадан ток деярли истеъмол қилинмайди ва схеманинг чиқишида Ем га яқин потенциал ўрнатилади (мантиқий бир даражаси). Агар бирор кириш ёки иккала киришга мантиқий бир даражаси берилса, VT1 ва VT2 транзисторлар очилади ва элемент чиқишида потенциал нольга яқин бўлади. Элемент 2ЁКИ-ЭМАС амалини бажаради. Истеъмол қуввати 0,010,05 мВтни, тезкорлиги эса 1020 нс ни ташкил этади.

9.8 – расм.

Интеграл – инжекцион мантиқ элементи (И²М). Калит комплементар биполяр транзисторлар жуфтлигидан ташкил топган бўлиб, n-p-n турли VT1 транзистор кўпколлекторли бўлиб, унинг база занжирига p-n-p турли VT2 кўпколлекторли транзистор уланган. Бу транзистор инжектор номини олган бўлиб, барқарор ток генератори вазифасини бажаради (9.10 а – расм.)

а) б)
9.10 – расм.

VT1 транзистор эмиттер – коллектор оралиғи калит вазифасини бажаради. Сигнал манбаи ва юклама сифатида худди шундай схемалар ишлатилади. Агар киришга мантиқий бирга мос келувчи юқори потенциал берилса, VT1 транзистор очилади ва тўйиниш режимида бўлади. Унинг чиқишидаги потенциал ноль потенциалига мос келади. Киришга мантиқий нольга мос келувчи потенциал берилса, VT1 транзисторнинг эмиттер ўтиши беркилади. Коваклар токи I_Қ (қайта уланиш токи) VT1 транзисторнинг коллектор ўтишини тескари йўналишда улайди. Бунинг натижасида VT1 чиқиш қаршилиги кескин ортади ва унинг чиқишида мантиқий бир потенциали ҳосил бўлади. Яъни мазкур схема юқорида кўрилган схемалар каби инвертор вазифасини бажаради. Мантиқий амалларни бажариш инвертор чиқишларини металл симлар билан бирлаштириш натижасида амалга оширилади. 9.10 б – расмда ҲАМ амалини бажариш усули кўрсатилган. Ҳақиқатдан ҳам, агар Х1 ёки Х2 киришлардан бирига юқори потенциал берилса U¹_КИР, натижада бирлашган чиқишларда (А нуқта) паст потенциал ҳосил бўлади U⁰. Натижада ва инверс ўзгарувчиларнинг конъюкцияси бажарилади. Улар VT1 ва VT3 инвертор чиқишларида ҳосил бўлади: . И²М элементининг тезкорлиги 10100 нс ва истеъмол қуввати 0,010,1 мВт. Кристаллда битта И²М элементи КМДЯ –элментга нисбатан 34 марта кичик, ТТМ – элементига нисбатан эса 510 марта кичик юзани эгаллайди.

Кўриб ўтилган мантиқий ИМС негиз элементларининг
асосий параметрлари жадвали

Параметр	Негиз элемент тури
	ТТМ	ТТМШ	n - МДЯ
Кучланиш манбаи, В	5	5	5
Сигнал мантиқий ўтиши (U^1ЧИҚ- U^0ЧИҚ), В	4,5-0,4	4,5-0,4	ТТМ билан мос келади
Рухсат этилган шовқинлар даражаси, В	0,8	0,5	0,5
Тезкорлиги, tК. ЎРТ , нс	5-20	2-10	10-100
Истеъмол қуввати, мВт	2,5-3,5	2,5-3,5	0,1-1,5
Юклама қобилияти	10	10	20

Параметр	Негиз элемент тури
	КМДЯ	ЭБМ	И^2М
Кучланиш манбаи, В	3-15	-5,2	1
Сигнал мантиқий ўтиши (U^1ЧИҚ- U^0ЧИҚ), В	Еп-0	(-1,6)-(-0,7)	0,5
Рухсат этилган шовқинлар даражаси, В	0,4Еп	0,15	0,1
Тезкорлиги, tК. ЎРТ , нс	1-100	0,7-3	10-20
Истеъмол қуввати, мВт	0,01-0,1	20-50	0,05
Юклама қобилияти	50	20	5-10

Асосий рақамли ИМС серияларининг мантиқ турлари

Мантиқ тури	Рақамли ИМС серия рақами
ТТМ	155, 133, 134, 158
ТТМШ	130, 131, 389, 599, 533, 555, 734, К530, 531, 1531, 1533, КР1802, КР1804
ЭБМ	100, К500, 700, 1500, К1800, К1520
И^2М	КР582, 583, 584
р - МДЯТМ	К536, К1814
n - МДЯТМ	К580, 581, 586, 1801, 587, 588, 1820, 1813
КМЯТМ	164, 764, 564, 765, 176, 561