' и Л®
и ,
(4.24)
V й кво J
bu yerda: k — y arim o‘tkazgich kim yoviy tabiatiga va o ‘tish turiga
(n-p yoki p-n) bog‘liq holda, 2 dan 6 gacha qiym atlam i qabul qilishi
m um kin.
E m itter toki bilan boshqarilganda (1ЕФ0), ko‘chkili k o ‘payish
rejim ida kollektor toki
Гк = M ■ I K — M a I E + M - I K0 . (4.25)
Г к —>co shart, xuddi ilgaridek, M —> b o ‘lishini talab qiladi,
bu esa / ^ 0 b o ‘lganda birlam chi teshilish qiym ati UKB0 d an kam farq
qilishini anglatadi. Bu m utlaqo tushundrli, chunki IE = const b o ‘lib,
kollektor toki oshganda ushbu tokning o ‘zgarishi avtom atik holda
to ‘xtatiladi (m usbat teskari aloqa so‘ndiriladi).
U E ulangan sxem a baza toki bilan boshqarilishini k o 'rib chiqishga
o ‘tam iz.
K o ‘c h k ili k o ‘p a y is h r e jim id a e m i t te r to k i n i u z a tis h
koeffitsienti a * = M • a boMgani uchun, o ‘sha rejim da baza tokini
uzatish koeffitsienti
a* M - a
p = i— Г = Т
м (4-26>
1 - a 1 -M-a
ifoda bilan aniqlanadi.
N atijada, ko‘chkili ko‘payish rejim ida U E ulangan sxem a kollektor
toki
+ 1 ) ’^ o -
T eshilish /3*
oo , ya’ni M = 1/ a b o ‘lganda so d ir b o ‘ladi.
U sh b u q iy m atn i (4 .5 1 ) ga q o ‘yib, U E sx em a u c h u n te s h ilis h
kuchlanishini topam iz:
U m = K / T ^ - U m o . (4.27)
U E ulangan sxem a baza toki bilan bosh q arilg an d a b irlam ch iwww.ziyouz.com
kutubxonasi
teshilish kuchlanishi UB ulangan sxemadagi UKB0teshilish kuchlanishiga
nisbatan 2-^3 m arta kichik b o ‘ladi. U shbu kuchlanish 1 = 0 bo'lganda
(baza elektrodi uzilganda) m inim al qiyinatga ega bo'ladi. Shu sababli
U E ulangan sxem a, kirish zarjirining uzilishiga, ayniqsa, katta quw atli
tra n z isto rla r ishlatilganda, m utlaqo y o ‘l q o ‘yib b o ‘lm aydi. Baza
elektrodiga ballast qarshiliklar ulanishi maqsadga muvofiq em as, chunki
u k o lle k to r va e m itte r to k la ri o rasid ag i m u sb at te sk ari a lo q a
koeffitsientini oshiradi va tran zisto rn in g b a rq aro r ishlash sohasi
qisqaradi.
D em ak, barqaror ishlash sohasi kengligiga yuqori talablar q o ‘yilgan
funksional (im puls va kalit) qurilm alarni ishlab chiqishda baza toki
bilan boshqariluvchi U E ulangan sxem alardan foydalanm aslik kerak.
Kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda yoki em itter zanjirida teskari
m anfiy aloqani shakllantirish yoki tarkibiy tranzistorlar q o ‘llash kerak.
Oxirgi holda tarkibiy tranzistorning chiqish tranzistori em itter toki
bilan boshqariluvchi rejimga qo'yiladi. Bunda em itter toki qiym ati
ikkinchi (ishga tushiruvchi) tranzistor orqali beriladi va unda kollektor
toki kollektor-baza kuchlanishiga ju d a sust bog‘liq b o ‘ladigan yoki
bog‘liq b o ‘lm aydigan rejimga qo‘yiladi. M asalan, to ‘yinish rejim ining
boshlang‘ich sohasi (injeksiya — voltaik rejim da) ishlatiladi.
Y uqorida keltirilgan k o ‘rsatm alard an fo y dalanishning am aliy
natijalari quyida keltirilgan.
Do'stlaringiz bilan baham: |