‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

к t ко
(4 9 )
I E — CLjlK + I E0,
bu yerda: or va a ~ mos ravishda, aktiv va invers rejimlarda
emitter tokini uzatish integral koeffitsienti.www.ziyouz.com
kutubxonasi
n-p-n tranzistor uchun modelning eng sodda varianti 4.7-rasmda
ko'rsatilgan.
(X \h
E
o
J 1)1
11)2
К
О
4
и
h
о в
4.7-rasm. ВТ uchun Ebers — Moll modeli.
Model ikkita qarama-qarshi ulangan tok manbalari va ikkita dioddan
tashkil topgan. VD1 diod E 0 ‘ xususiyatlarini, VD2 diod esa K 0 ‘
xususiyatlarini modellashtiradi.a^/., vaocNI ] tok manbalari mosdiodlar
bilan boshqariladi. Tok manbalarining ichki qarshiligi juda yuqori
bo‘lgani sababli, zanjir qarshiligi qiymatiga bog'liq bo‘lmagan holda,
zanjirdan oqayotgan tok qiymatini belgilaydilar.
Diodlar VAXlari (2.9) ga muvofiq approksimatsiyalanadi
bu yerda: I0E, I0K — model parametrlari,
/ q
Emitter, kollektor va baza toklari modelning ichki toklari bilan
quyidagicha bog‘langan
/,= / „ * ( * " -D *
h = I o A e * - О
'Z*
Чл
(4.10)www.ziyouz.com
kutubxonasi
/ , = / , - / , = 0 - a ) J 0C( e £ - 0 - 0 - « , ) / „ ( < ; * - 1)- И Л 2)
Ushbu tenglamalar BT ning matematik modellaridir. Ular asosida
turli ulanish sxemalarda statik VAXlarning ixtiyoriy oilasi uchun analitik
ifodalarni topish mumkin.
Masalan, (4.10) tenglama UB ulangan sxema uchun statik kirish
xarakteristikalarni bevosita aniqlaydi. UB ulanish sxemasida ulangan
BT ning statik chiqish xarakteristikalarini aniqlovchi ifoda (4.11)
tenglamani (4.10)ni e’tiborga olgan holda o‘zgartirish yo‘li bilan hosil
qilinadi